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新式TII技術(shù)可望微縮超越9nm

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2018-03-16 14:49:226112

新式DRAM存取技術(shù)提升動態(tài)隨機DRAM訪問速度

本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的 存取技術(shù) ,可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會
2018-06-05 13:45:004654

盤點那些有趣的微縮模型

看看這些微縮模型,能買到銅或者鉛的話,也可以自己做一些。就是那個小燒杯一般人弄不出來,得會吹玻璃才行。
2018-08-06 16:41:034887

AMD對7nm制程產(chǎn)品樂觀 廣達與英偉達可望有機會受惠

美國消費性電子展盛大展開,法人指出,AMD執(zhí)行長蘇姿豐對 7nm 制程產(chǎn)品樂觀,臺系代工廠包含廣達與英偉達等,可望有機會受惠。
2019-01-10 16:35:512671

我國成功研發(fā)出9nm線寬雙光束超衍射極限光刻試驗樣機 打破國外技術(shù)壟斷

4月10日記者從武漢光電國家研究中心獲悉,該中心甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制,采用遠場光學(xué)的辦法,光刻出最小9納米線寬的線段,實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。
2019-04-16 17:33:359740

突破! 中國造出9nm光刻試驗樣機!

諾貝爾化學(xué)獎得主德國科學(xué)家斯特凡·W·赫爾的超分辨熒光成像的基本原理,在沒有任何可借鑒的技術(shù)情況下,開拓了一條光制造新的路徑。 9nm線寬雙光束超衍射極限
2019-04-19 15:22:4026904

Intel開始量產(chǎn)10nm工藝 7nm處理器或?qū)⑻崆鞍l(fā)布

今年AMD確實大打翻身仗,7nm銳龍3000系列處理器讓AMD在CPU處理器的工藝上首次超越了Intel。而當(dāng)時Intel還在深耕14nm,好在最近Intel開始量產(chǎn)10nm工藝,而且7nm工藝也已經(jīng)走上正軌。
2019-09-08 09:45:531222

我國光刻機實現(xiàn)拐彎超車,終于攻克9nm技術(shù)難關(guān)

隨著時代的不斷變化發(fā)展,眾多以科技為背景的產(chǎn)業(yè)由此崛起,在改變了人們傳統(tǒng)生活方式的同時,也對國家和社會的發(fā)展起到了積極的促進作用。
2019-11-20 16:49:4045480

我國光刻機實現(xiàn)彎道超車,突破了9nm技術(shù)瓶頸

如今的社會一直在不斷的發(fā)展之中,有許多互聯(lián)網(wǎng)作為背景的企業(yè)逐漸崛起,尤其是在通信領(lǐng)域這一方面,作為我國通信領(lǐng)域的巨頭企業(yè)的華為,在第五代通信技術(shù)領(lǐng)域上完美實現(xiàn)了彎道超車,目前已經(jīng)成功躋身進入世界一流的前沿。
2019-11-28 15:26:5341657

我國成功打破西方的壟斷,攻克9nm芯片技術(shù)難關(guān)

據(jù)知名調(diào)研機構(gòu)Canalys公布的2019第三季度全球智能手機出貨量數(shù)據(jù)顯示,華為手機成功趕超蘋果,以19%的市場份額位居全球第二。
2019-12-03 16:29:0322787

超越蘋果和海思,AMD在臺積電7nm產(chǎn)能占比第一

2020年除了7nm顯卡之外,AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會繼續(xù)升級,3款會上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們在臺積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 08:59:163943

AMD成臺積電第一大7nm客戶 成功超越蘋果和海思

2020年除了7nm顯卡之外,AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會繼續(xù)升級,3款會上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們在臺積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 10:06:543347

臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進度超前

考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。
2020-10-21 16:50:032780

預(yù)計今年中國的芯片制造產(chǎn)能可望超越美國

分析機構(gòu)預(yù)計今年中國的芯片制造產(chǎn)能可望超越美國,這是中國制造在10年前超越美國之后,在高端制造業(yè)上取得的一項偉大成就,當(dāng)然中國的芯片制造工藝技術(shù)還是落后于美國的。 美國今天的強盛得益于它一百多年來
2020-11-26 15:06:202584

ASML已完成制造1nm芯片的EUV光刻機的設(shè)計方案

本月中旬,在日本東京舉辦了ITF論壇。論壇上,與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機的比利時半導(dǎo)體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細節(jié)。
2020-11-30 15:52:212287

IMEC將下一代高分辨率EUV技術(shù)進行了商業(yè)化

Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微縮層面技術(shù)細節(jié)。截至目前,ASML 已經(jīng)布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發(fā)展路線規(guī)劃。
2020-12-04 17:53:481709

后FinFET時代的技術(shù)演進說明

FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是,隨著器件的持續(xù)微縮,短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中,IMEC的3D混合微縮項目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點發(fā)展的演進之路。
2020-12-24 15:54:06927

上海社區(qū)加速實行5G、千兆光網(wǎng)、新式城域物聯(lián)專網(wǎng)

上海頒布社區(qū)新式基礎(chǔ)辦法豎立動作安置 將激動5G、人為智能等新本領(lǐng)所有融入社區(qū)生存。 上海市1月7日頒布了《社區(qū)新式基礎(chǔ)辦法豎立動作安置》(以下簡稱《動作安置》),以深刻貫徹最新出臺的《上海市促成
2021-01-08 13:20:012863

三星1nm時代光刻機體積將增加

近日,在日本東京舉辦的ITF論壇上,與ASML合作研發(fā)光刻機的比利時半導(dǎo)體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細節(jié)。
2021-01-13 16:43:113432

你知道什么是晶體管微縮嗎?它又是個什么情況呢?

你聽說過晶體管微縮嗎?晶體管微縮是什么情況?作為硬件工程師,不可不知。半導(dǎo)體行業(yè)中,“微縮(Scaling)”是一個經(jīng)
2021-04-28 09:49:273754

2nm戰(zhàn)爭打響 臺積電、三星激戰(zhàn)2nm

日美深化尖端芯片合作,旨在超越2nm技術(shù),臺積電是 2 nm技術(shù)的領(lǐng)先開發(fā)者,而 IBM 也在 2021 年完成了原型。
2022-06-27 16:16:06886

2nm芯片技術(shù)成功了嗎

之前IBM爆出了成功研制出2nm芯片的消息,而我國中科院也發(fā)布了成功攻克2nm關(guān)鍵技術(shù)的消息,那么到現(xiàn)在過了這么長時間,2nm芯片技術(shù)成功了嗎? 目前2nm芯片技術(shù)可以說成功,也可以說還沒成功
2022-07-04 10:26:213279

Q3臺積電有望超越三星 登上半導(dǎo)體龍頭寶座

  據(jù)消息報道,全球前三大半導(dǎo)體廠排名大洗牌,據(jù)研調(diào)機構(gòu)IC Insights估計,臺積電第二季度營收超越英特爾,躍居全球第二位,預(yù)期第三季度可望超越三星,將首度登上半導(dǎo)體龍頭寶座。
2022-09-13 09:45:121355

NOR Flash制程工藝技術(shù)市場格局及技術(shù)演進

華邦電子認為,對于NOR Flash而言,45nm很可能是最后一個技術(shù)節(jié)點了,與之相比,SLC NAND Flash還有制程微縮空間,在24nm之后,至少還可以進一步微縮一代制程。
2023-01-31 09:51:474345

IMEC發(fā)布芯片微縮路線圖:2036年進入0.2 nm時代

在其擴展路線圖中,imec 為芯片技術(shù)的未來提出了一條替代路徑,在架構(gòu)、材料、晶體管的新基本結(jié)構(gòu)以及……范式轉(zhuǎn)變方面進行了根本性的改變。到 2036 年,imec 路線圖將使我們從 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ?ngstr?m,保持兩到兩年半的介紹速度。
2023-02-06 16:01:521790

一種新式抽油煙機的智能變頻技術(shù)研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種新式抽油煙機的智能變頻技術(shù)研究.pdf》資料免費下載
2023-10-23 10:53:440

應(yīng)對傳統(tǒng)摩爾定律微縮挑戰(zhàn)需要芯片布線和集成的新方法

應(yīng)對傳統(tǒng)摩爾定律微縮挑戰(zhàn)需要芯片布線和集成的新方法
2023-12-05 15:32:501093

臺積電升級4nm N4C工藝,優(yōu)化能效與降低成本

在近日舉辦的 2024 年北美技術(shù)研討會上,業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張凱文發(fā)表講話稱:“盡管我們的 5nm 和 4nm 工藝尚未完全成熟,但從 N5 到 N4 的光學(xué)微縮密度已提升 4%,且晶體管性能仍將持續(xù)加強。”
2024-04-26 14:35:433718

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