佰維存儲(chǔ)披露，第一顆主控芯片研發(fā)進(jìn)展順利，已經(jīng)回片點(diǎn)亮，正在進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備。

佰維存儲(chǔ)主要產(chǎn)品及服務(wù)涵蓋嵌入式、消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)和先進(jìn)封測(cè)業(yè)務(wù)，并對(duì)芯片IC設(shè)計(jì)等領(lǐng)域進(jìn)行了布局。

目前，佰維存儲(chǔ)已掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構(gòu)集成等先進(jìn)工藝量產(chǎn)能力，達(dá)到國(guó)際一流水平。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等信息技術(shù)領(lǐng)域。

佰維存儲(chǔ)還是惠普、宏碁等PC企業(yè)零售DIY存儲(chǔ)產(chǎn)品的授權(quán)合作伙伴，甚至近兩年比較火的宏碁掠奪者存儲(chǔ)就是佰維存儲(chǔ)運(yùn)營(yíng)的品牌。

佰維存儲(chǔ)還面向旗艦智能手機(jī)推出UFS 3.1高速閃存，寫入速度最高可達(dá)1800MB/s，是上一代通用閃存存儲(chǔ)的4倍以上，讀取速度高達(dá)2100MB/s，容量最高可達(dá)1TB。

今天，SK海力士在官網(wǎng)發(fā)布截至2023年12月31日的2023財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。

報(bào)告顯示，SK海力士主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3，2023年的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)4倍和5倍以上。

SK海力士表示，由于平均售價(jià)上漲，芯片價(jià)格在減產(chǎn)后趨于穩(wěn)定，DRAM部門在連續(xù)兩個(gè)季度虧損后，三季度開始扭虧為盈。

相比之下，NAND復(fù)蘇“相對(duì)緩慢”，公司將優(yōu)先簡(jiǎn)化NAND（產(chǎn)品線的）投資流程和成本。

從2022年下半年開始，三星、SK海力士、美光等存儲(chǔ)大廠紛紛大幅減產(chǎn)漲價(jià)，以期降低庫(kù)存水平，控制市場(chǎng)價(jià)格下跌的趨勢(shì)，如今看來終于有了“成效”。

其他方面，SK海力士第四季營(yíng)收同比增長(zhǎng)47%至11.3055萬億韓元，毛利潤(rùn)為2.23億韓元，同比大增9404%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為3460億韓元，凈虧損為1.3795萬億韓元。

從全年業(yè)績(jī)來看，SK海力士累計(jì)2023年合并營(yíng)收為32.7657萬億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為7.7303萬億韓元，凈虧損為9.1375萬億韓元。

審核編輯：黃飛

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