臺(tái)灣專(zhuān)用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5966 今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR市場(chǎng)內(nèi)部，兩種NOR也在自相殘殺。由于串行外圍接口（SPI） NOR的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，而且制造成本較低，所以正在奪取并行NOR的市場(chǎng)份額。
2013-04-10 16:15:512886 制的高溫快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品。新的高溫NOR快閃產(chǎn)品經(jīng)設(shè)計(jì)用于150°C及更高溫度，并為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供改良的耐久性優(yōu)勢(shì)，這些產(chǎn)品能夠應(yīng)對(duì)地表數(shù)千英尺以下鉆井設(shè)備遇到的溫度、沖擊和振動(dòng)挑戰(zhàn)。
2013-04-15 16:16:59808 目前，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫(xiě)次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位，但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸，而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:583387 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲(chǔ)器戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:211135 盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長(zhǎng)下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場(chǎng)，對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。
2017-07-26 08:12:14944 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
第六章為重用外設(shè)驅(qū)動(dòng)代碼，本文內(nèi)容為6.2 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)器。
2017-12-21 07:59:0015838 
在有一些應(yīng)用中，我們可能需要大一些容量的存儲(chǔ)單元，而實(shí)現(xiàn)的形式多種多樣，在這一篇中我們將來(lái)討論怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的問(wèn)題。
2022-12-07 10:07:173538 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱(chēng)閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:173656 
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
對(duì)內(nèi)存有一定了解的朋友，都喜歡把eMMC和SSD放在一起比較，在宏旺半導(dǎo)體看來(lái)，這樣的比較意義不大。雖然eMMC跟SSD都是滿足不同需求而發(fā)展出來(lái)的NAND應(yīng)用，相同點(diǎn)都是控制器加NAND顆粒組成
2019-08-06 15:08:43
大家都知道內(nèi)存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：RAM和ROM，今天宏旺半導(dǎo)體就主要跟大家科普一下ROM類(lèi)別下的EEPROM是指什么，它跟FLASH又有什么區(qū)別？它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)又是什么？ROM，即只讀存儲(chǔ)器
2019-12-05 14:02:53
蘋(píng)果則是NVME呢？什么是UFS？UFS全稱(chēng)為Universal Flash Storage，即“通用閃存存儲(chǔ)”，是一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，UFS采用串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，只有兩個(gè)
2019-11-26 11:21:07
DN17- 閃存存儲(chǔ)器的脈沖發(fā)生器編程
2019-07-01 06:58:01
超高畫(huà)質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機(jī)卡匣、5G基地臺(tái)、資料中心及筆電用存儲(chǔ)器出貨強(qiáng)勁成長(zhǎng)，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開(kāi)始的順序訪問(wèn)，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要FSMC提供下述功能：●選擇合適的存儲(chǔ)塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說(shuō)明的中文翻譯版中并沒(méi)有這部分的說(shuō)明，因此需要參考庫(kù)函數(shù)的相關(guān)說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要
2015-01-22 15:56:51
大, 容量大，讀寫(xiě)快。eMMC與SSD聯(lián)系eMMC和SSD主要是滿足不同需求而發(fā)展出來(lái)的NAND應(yīng)用，相同點(diǎn)都是控制器加NAND顆粒組成的存儲(chǔ)介質(zhì)，我們可以這樣理解，單顆閃存芯片制作的eMMC，相當(dāng)于
2019-06-24 17:04:56
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫(xiě)入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器運(yùn)行，但是，更新將寫(xiě)入不同的部分。我以前沒(méi)有使用過(guò)帶有外部程序存儲(chǔ)器
2023-03-24 08:08:30
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
?！ ?、硬盤(pán)存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫(xiě)，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤(pán)（優(yōu)盤(pán)）、移動(dòng)硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。 4、閃存盤(pán)（優(yōu)盤(pán)） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
單片機(jī)如何寫(xiě)一段宏來(lái)控制外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)？
2021-10-29 06:24:53
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱(chēng)為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
配置歷史回顧當(dāng)FPGA首次面世時(shí)，可選擇的配置存儲(chǔ)器是并行EPROM或并行EEPROM產(chǎn)品。隨著時(shí)間的推移，NOR閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，同時(shí)因其系統(tǒng)內(nèi)可重復(fù)編程性和高性價(jià)比而被廣泛采用。在第二次革命性轉(zhuǎn)折
2021-05-26 07:00:00
AVR單片機(jī)的外部RAM擴(kuò)展是什么樣的？怎樣利用宏來(lái)控制AVR外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)？有哪些應(yīng)用示例？利用宏去控制外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？
2021-07-07 07:19:20
的存儲(chǔ)空間，即通常理解的64GB、128GB等。但是實(shí)則不然，今天宏旺半導(dǎo)體就和大家來(lái)科普一下真正的手機(jī)內(nèi)存是指什么？運(yùn)行內(nèi)存與機(jī)身存儲(chǔ)內(nèi)存之前宏旺半導(dǎo)體在一篇文章里曾提到過(guò)內(nèi)存與閃存的區(qū)別，這里我們
2019-12-11 15:10:59
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
eMMC可稱(chēng)之為存儲(chǔ)內(nèi)存。寫(xiě)入次數(shù)不同eMMC是閃存的一種標(biāo)準(zhǔn)，主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，用來(lái)提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。eMMC標(biāo)準(zhǔn)的閃存有使用壽命限制，不能無(wú)限寫(xiě)入，當(dāng)然
2019-09-24 11:22:45
閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類(lèi)。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
型號(hào)：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類(lèi)型：SPI 存儲(chǔ)器容量：64Mb存儲(chǔ)器類(lèi)型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
) 存儲(chǔ)器類(lèi)型：Non-Volatile 32Mbit，SPI FLASH
工廠包裝數(shù)量：9500
產(chǎn)品種類(lèi)：NOR閃存
封裝：NOR閃存
GD25Q127
2021-12-06 16:26:59
文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:17
32 串行NOR Flash介紹，串行NOR Flash分類(lèi)、串行NOR Flash選型以及串行NOR Flash命名規(guī)則
2010-03-10 14:52:1830 作為掩膜ROM行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，旺宏繼續(xù)為客戶提供最先進(jìn)的掩模ROM產(chǎn)品。在過(guò)去8年，旺宏是掩模ROM行業(yè)最大的供應(yīng)商，并將繼續(xù)為用戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品。
2010-03-10 14:54:443 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:4179 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21626 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 Flash閃存有哪些類(lèi)型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5612479 旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代
旺宏電子是全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場(chǎng)全球第三大NOR閃存供應(yīng)商，提供跨越廣泛規(guī)格及
2010-04-12 09:08:371608 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨，除了PC外，越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等，這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
全球最大序列式閃存(Serial NOR Flash Memory)生產(chǎn)制造公司旺宏電子近日宣布，全力支持JEDEC日前發(fā)布的JESD216新規(guī)格-Serial Flash Discoverable Parameter(SFDP)，并內(nèi)建于所生產(chǎn)制造之全系列Serial Flas
2011-10-10 10:06:441365 旺宏推出Quad 4x75MHz DTR技術(shù)、600Mb/s傳輸速率的高速串列式NOR，可簡(jiǎn)化嵌入式市場(chǎng)平臺(tái)PCB布線與降低成本
2012-01-04 18:16:363246 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:174446 
這兩年，移動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自手機(jī)、平板等移動(dòng)終端，NAND與NOR閃存市場(chǎng)格局變化迅速，越來(lái)越先進(jìn)的手機(jī)扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，并決定供應(yīng)商的成敗。
2012-12-25 08:51:041308 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類(lèi)，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問(wèn)速度快，但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112475 存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí)，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對(duì)旺宏而言，2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng)，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:161372 旺宏去年第四季營(yíng)收維持逆勢(shì)成長(zhǎng)的表現(xiàn)，整體Nor flash仍是報(bào)價(jià)上漲，展望今年的Nor flash市況，整體市場(chǎng)需求仍是成長(zhǎng)，而供給端則主要觀察大陸業(yè)者的產(chǎn)能開(kāi)出狀況，但整體來(lái)看，Nor
2018-01-11 01:47:00977 旺宏昨日召開(kāi)財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011484 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 旺宏接單報(bào)捷，旗下編碼型快閃存儲(chǔ)器（ NOR Flash）獲意法半導(dǎo)體（STM）新款微控制器采用，導(dǎo)入汽車(chē)、工業(yè)及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
2018-03-30 11:14:001354 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33113864 是新產(chǎn)品，普及還要一段時(shí)間，目前 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器如何發(fā)展，依然是關(guān)鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤(pán)，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器首發(fā)，讀取
2018-07-26 18:01:002759 有幾十個(gè)工程師擠在美國(guó)德州奧斯汀(Austin)近郊重劃區(qū)的咖啡店與美容院之間，探索運(yùn)算技術(shù)的新方向──這是一家名為Mythic的新創(chuàng)公司，目標(biāo)是將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)映射至NOR快閃存儲(chǔ)器陣列，以或許可節(jié)省兩個(gè)數(shù)量等級(jí)功耗的方式來(lái)運(yùn)算與儲(chǔ)存資料。
2018-06-08 11:46:002953 NOR 閃存具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快等特性，雖然前幾年被NAND擠壓市場(chǎng)容量趨緩，但近年來(lái)自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn)，使得NOR 閃存又找到了新的用武之地， 由此圍繞NOR閃存的爭(zhēng)奪也將走向變局。
2018-06-11 01:52:002133 雖然第二季是存儲(chǔ)器市場(chǎng)傳統(tǒng)淡季，但受惠于工控及車(chē)載應(yīng)用需求強(qiáng)勁，加上NOR Flash及SLC NAND漲價(jià)效益開(kāi)始發(fā)酵，旺宏第二季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡，營(yíng)收可望追平第一季。旺宏第三季受惠于任天堂大舉拉貨，以及手機(jī)廠及筆電廠擴(kuò)大NOR Flash采購(gòu)，配合價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，營(yíng)運(yùn)將旺季更旺。
2018-08-10 16:13:351268 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0013945 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
旺宏電子董事會(huì)決議通過(guò)明年新增資本支出新臺(tái)幣 8.65 億元（約1.9億人民幣），并繼續(xù)與 IBM 合作開(kāi)發(fā)相變化存儲(chǔ)器。
2018-12-31 16:49:004483 的次數(shù)比NOR Flash要少，但是可以通過(guò)軟件控制存儲(chǔ)位置，利用其更高存儲(chǔ)密度的特點(diǎn)，讓每個(gè)位置被寫(xiě)的次數(shù)控制得均勻一些，這對(duì)延長(zhǎng)存儲(chǔ)器壽命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797 
新式存儲(chǔ)器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲(chǔ)器 eFlash 技術(shù)，而在嵌入式技術(shù)上，趨勢(shì)已快速成熟中。但用于獨(dú)立型存儲(chǔ)器上，目前還有性能、成本的問(wèn)題待克服。
2019-09-09 16:08:331144 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求26日表示，近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn)，看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開(kāi)始擴(kuò)大
2019-09-27 16:24:455384 非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)表示，近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn)，看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開(kāi)始擴(kuò)大出貨，19納米制程月
2019-11-12 14:16:061889 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512 旺宏EMMC客戶的不二之選 一、旺宏EMMC介紹 作為非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，Macronix推出了一系列eMMC存儲(chǔ)器，以滿足大容量存儲(chǔ)和高可靠性應(yīng)用的需求。通過(guò)結(jié)合多年在閃存設(shè)計(jì)和管理方面
2020-03-15 16:51:002811 的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 產(chǎn)品，它在需要快速，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域（包括通信，工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用）中找到了新的機(jī)遇。當(dāng)然由于自動(dòng)駕駛汽車(chē)的發(fā)展，后者受到了廣泛的關(guān)注。 NOR閃存在無(wú)線電中起步-不需要大量?jī)?nèi)存的汽車(chē)應(yīng)用。但是在過(guò)去的十年中，遠(yuǎn)程信息處理以及中控
2020-08-27 14:44:25783 3月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)11年來(lái)新高，NOR Flash大廠旺宏3月?tīng)I(yíng)收年成長(zhǎng)34.9%，而華邦電的3月份營(yíng)收也同樣達(dá)到年成長(zhǎng)16.61%的水準(zhǔn)，顯示雖然在傳統(tǒng)科技業(yè)的淡季中，存儲(chǔ)器廠的訂單依舊熱絡(luò)。
2020-09-03 16:38:02753 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 中國(guó)大陸兆易創(chuàng)新序列式編碼型快閃存儲(chǔ)器（NOR Flash）成功打進(jìn)三星（Samsung）旗艦智能手機(jī)供應(yīng)鏈，中國(guó)臺(tái)灣廠商表示，目前NOR Flash市況依然穩(wěn)定，并未受到影響。
2020-09-03 16:44:011790 另外，該報(bào)道稱(chēng)“斷供”華為對(duì)旺宏產(chǎn)生了一定程度的影響，旺宏正努力在車(chē)用、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域?qū)ふ倚碌臋C(jī)會(huì)來(lái)降低華為影響。
2020-10-27 15:05:031838 智能手機(jī)需求暢旺，加上PC、NB以及TWS（真無(wú)線藍(lán)牙）等市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)，NOR Flash（編碼型快閃存儲(chǔ)器）自去年下半年開(kāi)始從吃緊到供不應(yīng)求，華邦電和旺宏在今年首季已經(jīng)調(diào)漲報(bào)價(jià)。據(jù)供應(yīng)鏈透露，由于
2021-02-26 11:56:401748 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 旺宏目前是中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)器芯片大廠，公司主要營(yíng)收來(lái)源以ROM只讀存儲(chǔ)器、NOR型快閃存儲(chǔ)器以及NAND型快閃存儲(chǔ)器等產(chǎn)品為大宗，而相關(guān)產(chǎn)品除自行設(shè)計(jì)之外，也以自家的晶圓廠來(lái)進(jìn)行制造生產(chǎn)。
2021-01-06 15:14:102769 存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待
2021-01-29 09:50:392148 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:442376 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類(lèi)為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215449 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說(shuō)的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮?lái)看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤(pán)、SSD硬盤(pán)等）。
2022-10-13 09:24:132886 編碼型快閃存儲(chǔ)器（NOR Flash）相關(guān)業(yè)者優(yōu)于純DRAM廠商。 小摩在拜訪南亞科、力成、華邦、旺宏等臺(tái)灣存儲(chǔ)器廠后發(fā)布報(bào)告指出，多數(shù)業(yè)者預(yù)期需求不會(huì)急速反彈，而是將逐步復(fù)甦，主要由于供應(yīng)鏈庫(kù)存增加，而且在全球總體經(jīng)濟(jì)環(huán)境下，
2022-11-30 10:09:49943 兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類(lèi)似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:375127 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:301239 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152049 
NAND閃存和NOR閃存是兩種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 近期，芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際，公司同步宣布新增多款兼容芯片型號(hào)，其中包括旺宏電子開(kāi)發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲(chǔ)器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37620 
MXIC旺宏電子MX25L25645GM2I-08G NOR Flash以256Mb容量、104MHz Octa SPI接口及-40℃~105℃車(chē)規(guī)級(jí)可靠性，為智能車(chē)燈控制系統(tǒng)提供高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與固件執(zhí)行支持，確保自適應(yīng)光形調(diào)節(jié)的微秒級(jí)響應(yīng)與長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。
2025-10-11 09:45:00322 
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