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臺積電宣布7nm及5nm增強(qiáng)版新工藝

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-07-31 15:28 ? 次閱讀
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在日本的2019 VLSI Symposium超大規(guī)模集成電路研討會上,臺積電宣布了兩種新工藝,分別是7nm、5nm的增強(qiáng)版,但都比較低調(diào),沒有過多宣傳。

7nm工藝的增強(qiáng)版代號為“N7P”(P即代表性能Performance),在原有第一代N7 7nm工藝的基礎(chǔ)上,繼續(xù)使用DUV深紫外光刻技術(shù)而沒有7nm+上的EUV極紫外光刻,設(shè)計(jì)規(guī)則不變,晶體管密度也不變,只是優(yōu)化了前線(FEOL)、后線(BEOL),能在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低10%。

5nm工藝的增強(qiáng)版代號為“N5P”,也是優(yōu)化前線和后線,可在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低15%。

臺積電N7P工藝已經(jīng)可用,但尚未宣布任何具體客戶。

臺積電此前曾表示,7nm、6nm都是長期工藝節(jié)點(diǎn),會使用多年,5nm則相當(dāng)于一個升級過渡版本。

再往后,臺積電的下一個重大工藝節(jié)點(diǎn)3nm也已經(jīng)取得重大進(jìn)展,技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來,與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義,預(yù)計(jì)2022年初步量產(chǎn)。

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