全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司（股份代號：1347.HK）之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）連續(xù)第二年參展。今年華虹宏力不僅獨立設(shè)置展區(qū)，還攜最新技術(shù)和產(chǎn)品閃亮登場中國高端芯片聯(lián)盟專區(qū)和傳感器與物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟專區(qū)，集中展示了作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主力軍的風(fēng)采。同時，還憑借“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”在 “CITE創(chuàng)新之夜”頒獎典禮上榮獲“2017CITE創(chuàng)新產(chǎn)品和應(yīng)用金獎”。上個月，該項目剛摘得“第十一屆（2016 年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獎。

華虹宏力榮獲“2017CITE創(chuàng)新產(chǎn)品和應(yīng)用金獎”

展會期間，工業(yè)和信息化部副部長劉利華及電子信息司司長刁石京等領(lǐng)導(dǎo)興致勃勃地來到公司的展臺前，觀看了我們的展品和企業(yè)介紹。

工業(yè)和信息化部副部長劉利華及電子信息司司長刁石京等領(lǐng)導(dǎo)參觀展臺

在中國高端芯片聯(lián)盟專區(qū)和傳感器與物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟專區(qū)也有華虹宏力的產(chǎn)品展示

華虹宏力流線型展臺的右側(cè)，大幅海報將華虹宏力二十載制“芯”之路娓娓道來。另一側(cè)，以“科技創(chuàng)芯，智造未來”為主題，公司給新老朋友們準(zhǔn)備了最新的工藝及產(chǎn)品解決方案。華虹宏力擁有全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器（eNVM）工藝平臺組合，涵蓋OTP、MTP、EEPROM和Flash等技術(shù)。2016年，基于此技術(shù)平臺的智能卡出貨量高達(dá)22億顆，其中SIM卡出貨18億顆，占全球33%的市場份額。采用公司eNVM技術(shù)制造的金融IC卡芯片產(chǎn)品分別通過了EMVCo、CC EAL5+、萬事達(dá)CQM認(rèn)證等多項國際權(quán)威認(rèn)證，獲得了中國“芯”拓展海內(nèi)外金融IC卡市場的“通行證”。目前，華虹宏力90納米eNVM工藝已成功量產(chǎn)。應(yīng)對迅猛發(fā)展的微控制器（MCU）市場，華虹宏力推出了業(yè)界領(lǐng)先的0.11 微米超低漏電（ULL）嵌入式閃存及eEEPROM技術(shù)平臺，可提供全面、靈活、極具競爭力的解決方案。

華虹宏力展臺

精美的展臺&琳瑯滿目的展品

功率器件技術(shù)平臺是華虹宏力又一戰(zhàn)略重點。隨著新能源汽車、智能家電等市場勁升，功率器件需求量大幅上漲。華虹宏力作為全球首家、最大的功率分立器件200mm代工廠，在功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)上擁有15年的經(jīng)驗，可為客戶提供獨特的、富有競爭力的超級結(jié)MOSFET（SJNFET）和場截止型IGBT（FS IGBT）工藝。值得一提的是，此次獲獎的“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”可提供深溝槽刻蝕、鈍化、超薄片加工（包括背面注入、激光退火、背面金屬化）等國際領(lǐng)先技術(shù)。IGBT作為功率器件的主流發(fā)展方向，已在變頻家電、工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，市場前景廣闊。華虹宏力將持續(xù)創(chuàng)新，致力于為客戶提供高品質(zhì)、高可靠性的IGBT芯片制造代工服務(wù)。

另外，作為完整的功率IC代工方案提供商，華虹宏力還擁有久經(jīng)驗證的CMOS模擬和更高功率密度的BCD/CDMOS工藝平臺，為PMIC、智能電表、快速充電等熱點應(yīng)用打造高能效、低成本、質(zhì)量可靠的工藝平臺。