據(jù)中新網(wǎng)8月3日報道, 國家存儲器基地項目(一期)二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功,終端機臺的電力供給得到保證,芯片的目標量產(chǎn)指日可待。
據(jù)了解,長江存儲科技有限責任公司是國家存儲器基地項目的實施主體。根據(jù)武漢市此前公布的2019年第一季度政府工作報告執(zhí)行情況顯示,武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)在存儲器基地方面取得了重大進展,長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn),一季度產(chǎn)能達到5000片/月,辦公人數(shù)已達3000人。同時國家先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心也已完成法人主體注冊。
2019年7月3日,湖北省委副書記、省長王曉東在調(diào)研國家存儲器基地時指出,要優(yōu)化環(huán)境、全力支持,更大力度爭取國家支持并落實支持政策,完善服務機制,當好項目“秘書”,解決實際難題,全力保障國家存儲器基地建設,為加快“一芯兩帶三區(qū)”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局提供重要支撐。
據(jù)了解,國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其它若干配套建筑。
根據(jù)此前的資料顯示,長江存儲今年底前將正式量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品,明年將直攻128層以縮減與其他供應商的差距。
國家存儲器基地的建立,以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體,建成后,還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展,標志著芯片自主創(chuàng)新之路邁出可靠而重要的一步。
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存儲器
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國家存儲器基地項目已受電成功 明年將直攻128層以縮減與其他供應商的差距
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