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華虹無錫項目一期12英寸生產線已正式建成投片

半導體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-09-17 14:10 ? 次閱讀
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9月17日,華虹無錫項目再次迎來重大進展,集成電路研發(fā)和制造基地(一期)12英寸生產線正式建成投片,隨著首批12英寸硅片進入工藝機臺,開始55納米芯片產品制造,這標志著項目將由工程建設期正式邁入生產運營期。

根據無錫日報此前報道,該項目是無錫市“十三五”重大產業(yè)項目之一,也是無錫有史以來單體投資最大的產業(yè)項目。2017年8月2日,華虹集團與無錫市政府簽署戰(zhàn)略合作協議,總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶無錫高新區(qū)。

根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線,支持5G物聯網等新興領域的應用。

華虹集團董事長張素心表示,無錫項目發(fā)揚了華虹520精神,以華虹“全集團統(tǒng)籌資源、大兵團作戰(zhàn)部署”的戰(zhàn)略為依托,經過17個月的緊張奮戰(zhàn),再次刷新華虹速度。

從2018年4月3日樁基工程啟動以來,該項目進展迅速,主要工程節(jié)點較計劃大幅提前;設備安裝和工藝調試速度刷新紀錄;生產線全自動化系統(tǒng)快速建立;成套技術成功轉移;并行推進工藝研發(fā)、市場銷售、人力資源準備等工作,確保了該生產線工藝串線的成功。

2018年6月25日,樁基工程完成,開始大底板澆筑;2018年8月12日,生產廠房鋼架屋桁架吊裝完成;2018年12月21日,廠房機構封頂;2019年5月24日,首臺工藝設備搬入;2019年6月6日,光刻設備搬入;2019年9月17日,項目正式啟用量產。

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