臺積電宣布，其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺積電成功的7納米制程之上，也為明年首季試產(chǎn)6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。

臺積電N7+的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一，于2019年第二季開始量產(chǎn)，在7納米制程技術(shù)（N7）量產(chǎn)超過一年時間的情況下，N7+良率與N7已相當(dāng)接近。N7+同時提供了整體效能的提升，N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%，同時降低功耗，使其成為業(yè)界下一波產(chǎn)品中更受歡迎的制程選擇。臺積電亦快速布建產(chǎn)能以滿足多個客戶對于N7+的需求。

臺積電表示，N7+的成功經(jīng)驗(yàn)是未來先進(jìn)制程技術(shù)的基石。臺積電的6納米制程技術(shù)（N6）將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn)，并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用，N6的邏輯密度將比N7提高18%，而N6憑藉著與N7完全相容的設(shè)計(jì)法則，亦可大幅縮短客戶產(chǎn)品上市的時間。

此外，EUV微影技術(shù)使臺積公司能夠持續(xù)推動芯片微縮。臺積公司的EUV設(shè)備已達(dá)成熟生產(chǎn)的實(shí)力，EUV設(shè)備機(jī)臺亦達(dá)大量生產(chǎn)的目標(biāo)。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，AI和5G的應(yīng)用為芯片設(shè)計(jì)開啟了更多的可能，使其得以許多新的方式改善人類生活，臺積的客戶充滿了創(chuàng)新及領(lǐng)先的設(shè)計(jì)理念，需要臺積公司的技術(shù)和制造能力使其實(shí)現(xiàn)；在EUV微影技術(shù)上的成功，是臺積公司不僅能夠具體落實(shí)客戶的領(lǐng)先設(shè)計(jì)，亦能使其大量生產(chǎn)的另一個絕佳證明。