AMD官宣第三代撕裂者將在11月份發(fā)布
AMD已經(jīng)官宣，第三代ThreadRipper線程撕裂者發(fā)燒平臺將在11月份發(fā)布，屆時還會有首款主流級16核心32線程的銳龍9 3950X。
三代撕裂者無疑會和三代銳龍一樣上7nm工藝和Zen 2架構，同時更換接口，不再兼容現(xiàn)在的X399，有跡象表明會有TRX40、TRX80、WRX80三個新搭檔，其中前兩個面向高端玩家和發(fā)燒友，后一個則面向專業(yè)設計用戶。
在某主板廠商近日的一次推廣宣傳活動中，主板列表里赫然出現(xiàn)了TRX40的身影（雖然很快被刪除），第一次徹底確認了撕裂者新主板的存在。
可惜這次偷跑沒有給出更多信息，尤其不清楚TRX40、TRX80具體什么區(qū)別，可能是PCIe 4.0？
另外，據(jù)說華碩也在準備兩款TRX40新主板，型號為PRIME TRX40-PRO、ROG STRIX TRX40-E GAMING。
X399的繼任者此前被叫做X499，但是最終AMD放棄了這種故意搶奪Intel命名方式的叫法，不會再造成用戶認知混亂了。
Intel也剛剛發(fā)布了新一代發(fā)燒級酷睿X，延續(xù)14nm工藝和Skylake架構，最多還是18核心36線程，重點提升頻率和內(nèi)存、AI、網(wǎng)絡等規(guī)格，而主板繼續(xù)使用X299，各家廠商也都在陸續(xù)發(fā)布新品。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
amd
+關注
關注
25文章
5703瀏覽量
140365 -
主板
+關注
關注
55文章
2400瀏覽量
77177
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代特斯拉人形機器人將亮相，預計年產(chǎn)百萬臺
2月2日，特斯拉官方微博發(fā)布消息稱，第三代特斯拉人形機器人，即將正式亮相。據(jù)官方消息，新機完全跳出現(xiàn)有供應鏈體系，從第一性原理出發(fā)重新設計，不用復雜編程，觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻，就能自主執(zhí)行任務。
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、成本構成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎
2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導體產(chǎn)業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
CINNO出席第三代半導體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
一加與京東方推出史上最強東方屏 10 月 14 日正式發(fā)布
10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲體驗，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護眼方面實現(xiàn)突
開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應運而生。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
評論