有1.2萬億個晶體管的世界最大芯片，用武之時到了
據(jù)外媒techspot報道，今年夏天，美國加州AI初創(chuàng)公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片，這款名為“The Cerebras Wafer Scale Engine（WSE）”的芯片擁有1.2萬億個晶體管，其當時就被認為就是為AI計算而生的。
現(xiàn)在，WSE已在Cerebras Systems公司推出的加速深度學(xué)習(xí)的新系統(tǒng)上找到了用武之地。
在今年的超算大會上，Cerebras Systems公司的CS-1首次亮相。CS-1高約為26英寸，意味著一個機架中可安裝三臺。機器功率為20kW，其中4kW用于冷卻子系統(tǒng)。
新款CS-1可為最大AI計算芯片提供15kW的全功率供電（由于電源效率低損失了1kW）。
CS-1搭配Cerebras Wafer Scale引擎，此引擎比有史以來最大的GPU大56倍，內(nèi)核多78倍，片上內(nèi)存多3,000倍，并且提供33,000倍的帶寬。換句話說，其非?？?。
此外，它可與開源ML框架（例如PyTorch和TensorFlow）一起使用，以提高靈活性。
該公司表示，有關(guān)硬件更多的細節(jié)，例如時鐘速度，將會在不久的將來與大家分享。
CS-1配置驚人，售價也將非常昂貴。目前公司尚未透漏CS-1的具體售價，但其中一位發(fā)言人稱，其成本在數(shù)百萬美元。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54369瀏覽量
468906 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
91文章
40908瀏覽量
302487 -
深度學(xué)習(xí)
+關(guān)注
關(guān)注
73文章
5603瀏覽量
124603
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
揭秘芯片測試：如何驗證數(shù)十億個晶體管
微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中，集成了數(shù)十億甚至上百億個晶體管，例如NVIDIA的H100GPU包含800億個
晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域
晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下，晶體管的漏極電流如何隨漏源電壓變化，它本質(zhì)上是一張揭示晶體管作為電子開關(guān)或放大器工作
詳解NMOS晶體管的工作過程
在每一顆芯片的內(nèi)部，數(shù)十億個晶體管如同高速開合的微型水閘，構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例，我們將揭開它如何依靠電場控制電子流動，在“關(guān)斷”與“導(dǎo)通”之間瞬間切換，并以此寫下
晶體管入門：BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應(yīng)管 #電子放大
晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時
發(fā)表于 11-17 07:42
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調(diào)控晶體管內(nèi)建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場，通過外加電場來增大或減小
發(fā)表于 09-15 15:31
晶體管架構(gòu)的演變過程
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
晶體管光耦的工作原理
器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件：晶體管光耦通常包含一個發(fā)光二極管（LED）作為光源。當電流通過LED時，它會發(fā)出特定波長的光。2.光敏器件：光耦的另一側(cè)是一個
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
允許兩個晶體管容納在一個晶體管的面積內(nèi)，同時提升性能并降低功耗。然而，CFET 的生產(chǎn)難度極高，因此像 Imec 這樣的芯片制造商和研究人員
發(fā)表于 06-20 10:40
鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢
自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。
低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升，目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向
什么是晶體管？你了解多少？知道怎樣工作的嗎？
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
評論