全新系列產(chǎn)品首次推出SPI接口EERAM產(chǎn)品，最高密度可達1Mb

從智能電表到生產(chǎn)線，需要進行重復任務數(shù)據(jù)記錄的應用必須能夠在處理過程中斷電的情況下自動恢復內(nèi)容。按照每比特存儲單價計算，目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外設接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品，與當前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設計人員節(jié)省高達25%的成本。新系列產(chǎn)品為Microchip的EERAM產(chǎn)品陣容增添了范圍從64 Kb到1 Mb不等的四種可靠SPI密度。

EERAM是一種獨立非易失性RAM存儲器，使用與串行SRAM相同的SPI和I2C協(xié)議，可使器件在斷電期間保留SRAM內(nèi)容，而無需使用外部電池。用戶幾乎看不見該器件的所有非易失性部分。當器件檢測到電源耗盡時，會自動將SRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)椒且资源鎯ζ髦?，并在電源恢復供電時再將數(shù)據(jù)移回到SRAM中。以生產(chǎn)線為例，工作站在其整個生命周期中會處理高達數(shù)百萬個任務，而在任務期間丟失數(shù)據(jù)可能會造成生產(chǎn)線檢修或物品報廢。EERAM在這些場景中會自動存儲SRAM內(nèi)容，從而使生產(chǎn)線可從任務中斷處開始，恢復運行。

EERAM價格之所以較低，是因為使用了標準的互補金屬氧化物半導體（CMOS）和閃存工藝。因為這些器件采用的是產(chǎn)量最高，使用最廣泛的工藝，因此可提供業(yè)界最佳的可靠性和最低的成本。而諸如鐵電RAM（FRAM）的替代解決方案采用的則是特殊工藝，不但成本高，而且長期供貨不穩(wěn)。全新EERAM系列具有Microchip以客戶驅(qū)動的“淘汰模式”，有助于確保在客戶需要的時間內(nèi)為其供貨。

Microchip存儲器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“EERAM為系統(tǒng)設計人員提供了系統(tǒng)所需的可靠且高性價比的非易失性RAM解決方案。幾年前，我們首次推出了4 Kb和16 Kb密度產(chǎn)品，取得了良好的市場反響。我們的全新系列產(chǎn)品首次提供SPI接口，并將密度擴展到了1兆位，為滿足客戶的系統(tǒng)設計需求提供了更多選擇?！?/p>