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三星半導體工廠停電 DRAM和NAND生產(chǎn)或延誤

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2020-01-02 10:45 ? 次閱讀
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圖:三星華城半導體工廠。圖片來源/三星電子

2020年1月1日消息,三星半導體工廠停電,導致部分存儲器半導體生產(chǎn)線停止工作。

據(jù)三星電子1日報道,周二下午1:30,電源線在華城變電站爆裂,在京畿道華城的三星華城半導體工廠停電約1分鐘。

由于這次事故,三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉,三星電子的11、12和13三條生產(chǎn)線被關閉了大約一分鐘。第11條產(chǎn)線制造存儲器,但是目前正在切換以生產(chǎn)圖像傳感器。第12條產(chǎn)線生產(chǎn)2D NAND閃存,而第13條產(chǎn)線生產(chǎn)20nm以上的DRAM。

預計損失將小于三星平澤半導體工廠在2018年的損失。在平澤半導體工廠停電期間,三星電子因處置晶圓和原始NAND閃存產(chǎn)品而受到500億韓元(約合3億人民幣)的損失。

三星電子尚未就停電問題做出正式回應,但預計最多可能需要三天時間才能完全恢復。此外,由于為停電做準備的應急發(fā)電機將立即啟動,因此損害預計將少于平澤停電事故。

同時,自2000年以來,三星半導體工廠的停電事故已達到7次。

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