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虎賁T7520處理器采用的6nm EUV工藝到底有多先進

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-03-21 09:25 ? 次閱讀
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目前上市的5G處理器還是7nm的,前不久紫光展銳發(fā)布了虎賁T7520,全球首發(fā)6nm EUV工藝,展銳表示沒有2億美元就別想做6nm芯片。

虎賁T7520則是基于馬卡魯2.0平臺,單芯片集成5G基帶。這也是繼華為、高通、三星、聯(lián)發(fā)科之后的5G SoC新勢力,并且在技術工藝、通信能力、AI、視覺能力、續(xù)航能力、安全性等六大方面都具有突出的優(yōu)勢。

考慮到紫光展銳第一代5G芯片還是12nm工藝的,現(xiàn)在直接進入到了6nm EUV工藝,進步值得表揚,但在這背后勢必也付出了極大的努力,資金、人員、時間投入不低。

那虎賁T7520處理器到底有多強大?尤其是6nm EUV工藝先進在哪里?紫光展銳剛剛發(fā)了一篇科普文章,介紹了6nm EUV工藝的先進特性。

根據(jù)紫光展銳所說,EUV工藝的難點主要在光源、發(fā)光、轉化率、成本等問題上,其中最先進的EUV光刻機售價高達1億歐元一臺,是DUV光刻機價格2倍多,采購以后還需要多臺747飛機才能運輸整套系統(tǒng)。

詳細內容可以參考下面的全文:

只有引入EUV技術的6nm才是真正的6nm,而這項技術也將伴隨未來可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路前行。

自1965年英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出摩爾定律以來,半導體領域就一直在遵循著“當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18個~24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍”的規(guī)律前行。

技術人員一直在研究開發(fā)新的IC制造技術,以縮小線寬、增大芯片的容量。

EUV光刻機的出現(xiàn),就是一個重大突破。它實現(xiàn)了高速,低功耗和高集成的芯片生產(chǎn)工藝,滿足了5G高性能、超帶寬、低時延和海量連接的需求。

圖片來源:臺積電陳平在紫光展銳2020春季線上發(fā)布會演講

這么厲害的EUV,原理是什么?

光刻技術基本上是一個投影系統(tǒng),將光線投射并穿透印有電路的光罩,利用光學原理將圖形打在已涂布感光劑的硅晶片上,進行曝光,當未曝光的部分被蝕刻移除后,圖樣就會顯露出來。

在光刻技術中,提升分辨率的途徑主要有三個:一是增加光學系統(tǒng)數(shù)值孔徑;二是減小曝光光源波長;三是優(yōu)化系統(tǒng)。

EUV相較于DUV,把193nm波長的短波紫外線替換成了13.5nm的“極紫外線”,在光刻精密圖案方面自然更具優(yōu)勢,能夠減少工藝步驟,提升良率。

EUV技術的究竟難在哪兒?

光源產(chǎn)生難:

193nm紫外線的光子能量為6.4eV(電子伏特,能量單位),EUV的光子能量高達為91~93eV!

這種能量的光子用一般的方法是射不出來的,激光器或燈泡都不行,它的生成方法光是聽起來就非常變態(tài),這需要將錫熔化成液態(tài),然后一滴一滴地滴落,在滴落過程中用激光轟擊錫珠,讓其化為等離子態(tài),才能釋放“極紫外光”。

這樣的光源用久了就會在里面濺很多錫微粒,必須要定時清潔才行。

圖片來源:Cymer: Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography Light Sources

發(fā)光過程難:

EUV不僅能量高,對物質的影響也極其強大,它們可以被幾乎任何原子吸收,所以傳播路徑必須是完全的真空。

要想讓EUV聚焦到合適的形狀,只能用這種用6面凹面鏡子組成的系統(tǒng)——EUV/X射線變焦系統(tǒng)(EUV /X-Ray focusing systems)。

有效功率轉化率低:

可是就算是鏡子,每一面鏡子都會吸收30%的EUV,整個系統(tǒng)里有4個鏡子用于發(fā)光系統(tǒng),6個鏡子用于聚焦系統(tǒng)。EUV光罩本身也是一個額外的鏡子,形成了11次反射。

這個過程中,只有大約2%的EUV來到了晶圓上。因為效率低,所以需要的功率也大輻上漲。ArF光源平均的功率為45W,而EUV的平均光源功率為500w!

成本太高:

最先進的EUV光刻機售價高達1億歐元一臺,是DUV光刻機價格2倍多,采購以后還需要多臺747飛機才能運輸整套系統(tǒng)。

此外,EUV光刻機必須在超潔凈環(huán)境中才能運行,一小點灰塵落到光罩上就會帶來嚴重的良品率問題,并對材料技術、流程控制、缺陷檢驗等環(huán)節(jié)都提出了更高的要求。

最關鍵的是,EUV光刻機還極度耗電,它需要消耗電力把整個環(huán)境都抽成真空(避免灰塵),通過更高的功率也彌補自身能源轉換效率低下的問題,設備運行后每小時就需要耗費至少150度的電力。

除此之外,次級電子對光刻膠的曝光、光化學反應釋放氣體、EUV對光罩的侵蝕等種種難題都要一一解決。

這就導致很長時間里EUV的產(chǎn)量極低,在之前公開的資料里,EUV的產(chǎn)量只有日均1500片。

責任編輯:wv

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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