（文章來(lái)源：比特網(wǎng)）

最近，臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，年底蘋(píng)果和華為已經(jīng)將其產(chǎn)能預(yù)定，而臺(tái)積電發(fā)展的步伐并沒(méi)有停歇，他們不久前正式披露了最新3nm公寓的詳情，根據(jù)公布的情況來(lái)看，3nm晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2。

目前，主流的麒麟990處理器采用了7nm工藝，其晶體管密度為103億，尺寸為113.31mm2，核算下來(lái)是0.9億/mm2，而3nm工藝晶體管密度為7nm的3.6倍。從數(shù)據(jù)上來(lái)看，臺(tái)積電5nm工藝較7nm性能提升了15%，能耗比提升30%，而3nm較5nm性能則提升7%，能耗比提升了15%。

臺(tái)積電表示，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，并沒(méi)有受到疫情的影響，預(yù)計(jì)將會(huì)在2021年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。從工藝上看，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后，確定FinFET工藝在成本以及能效上更出色，所以，他們3nm首發(fā)會(huì)采用FinFET晶體管技術(shù)。

與臺(tái)積電在制程工藝上競(jìng)爭(zhēng)最激烈的三星，則希望在3nm節(jié)點(diǎn)上超越對(duì)手，所以，他們將會(huì)直接淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管，這也意味著三星將會(huì)采用更激進(jìn)的態(tài)度來(lái)面對(duì)3nm工藝。

從今年下半年開(kāi)始，5nm就將正式服役，蘋(píng)果、華為、AMD等廠(chǎng)商將會(huì)把此工藝帶入到手機(jī)、PC處理器、服務(wù)器處理器等等各領(lǐng)域中，屆時(shí)，無(wú)論是在性能還是在功耗上，這些產(chǎn)品又將更進(jìn)一步，此后，我們就要等待2022年3nm降臨了。
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