5月12日消息，兆易創(chuàng)新今日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM （電阻式隨機存取存儲器） 技術簽署專利授權協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式，能夠在改變電壓的前提下，通過改變電介質的電阻進行存儲。 RRAM擁有獨特物理與器件特性，可在工藝后端線（BEOL） 以列陣結構制造，其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯(lián)網(wǎng)應用; 此外，根據(jù)學術界與行業(yè)發(fā)表的相關文獻，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內(nèi)存（SCM）。

Rambus的大名很多DIY玩家都聽說過，當年P4時代與Intel合作的RDRAM內(nèi)存技術很先進，不過最后被AMD及其他廠商力推的DDR內(nèi)存擊敗，Rambus退出了實體內(nèi)存領域，專做內(nèi)存授權了。

這十幾年來，Intel、AMD、NVIDIA、高通、三星等公司先后都被Rambus拿下，簽訂了專利授權協(xié)議。如今中國公司也要進軍內(nèi)存市場了，專利授權也是繞不過去的，只要費用公平合理，金錢換市場是必然的，畢竟美國公司在這方面積累了太長時間了。

4月27日，合肥長鑫公司跟Rambus簽署了內(nèi)存授權協(xié)議，不過沒有公布內(nèi)存授權的具體內(nèi)容。今天，Rambus又跟兆易創(chuàng)新簽署了類似的協(xié)議，后者也獲得了內(nèi)存專利授權，同樣沒有公布具體金額。

兆易創(chuàng)新是國產(chǎn)存儲芯片的龍頭企業(yè)，不過之前主要是在NOR市場上，近年來也在積極進軍內(nèi)存市場，前兩年還跟合肥長鑫簽署了內(nèi)存合作協(xié)議，共同研發(fā)19nm內(nèi)存，兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人朱一鳴還是合肥長鑫的董事長。

不過合肥長鑫之前公布的股權結構來看，兆易創(chuàng)新沒有任何股份，除了部分高管重合之外，兩家公司是獨立運營的，否則也不會有兩份Rambus授權了。

根據(jù)兆易創(chuàng)新之前發(fā)布的公告，去年底該公司融資33.2億元，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。

在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：

·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統(tǒng)驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產(chǎn)，測試成功后進行大批量生產(chǎn)。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。

兆易創(chuàng)新是一家扎根中國，服務全球的國際化公司，兆易創(chuàng)新一直密切關注存儲領域的技術創(chuàng)新，積極進行戰(zhàn)略布局，開拓具有差異化的細分市場。早在2018年5月，兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創(chuàng)辦了以RRAM技術為核心業(yè)務的合資公司合肥睿科微。

兆易創(chuàng)新董事長朱一明先生表示：“兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任，多年來致力新技術革新，強化產(chǎn)品競爭力，重視核心專利， 此次獲得Rambus和?？莆⑨槍RAM技術的授權，有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲解決方案。”

Rambus技術合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁Kit Rodgers表示：“兆易創(chuàng)新在全球閃存領域已取得顯著的成績，我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創(chuàng)新，此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發(fā)創(chuàng)新型的解決方案，并加速其商用的進程?！?/p>

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