據(jù)悉，臺積電助海思半導體成功產(chǎn)出全球首顆16納米鰭式場效晶體管（FinFET）的ARM架構(gòu)網(wǎng)通處理器，這項成就宣告臺積電16納米在面臨三星及英特爾逼迫下取得壓倒性勝利。

此外，臺積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項都超越英特爾，將讓臺積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動的地位。

臺積電的這項成就，是昨天出席臺積電高雄氣爆感恩與祝福餐會的半導體設備廠所透露，針對臺積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設計（tape-out）后，點出臺積電在16納米FinFET的重要成果。

臺積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器，等于宣告海思具備可以提供自家集團華為的核心處理器。

華為目前是向英特爾采購以22納米制程的網(wǎng)通處理器，臺積電與海思的合作，也代表中國大陸已具備自主生產(chǎn)高端網(wǎng)通處理器的地位，對英特爾帶來一定程度的威脅。

對臺積電而言，臺積電也用實例，向英特爾證明臺積電16納米FinFET制程，并未如先前英特爾唱衰在芯片閘密度比英特爾還低30%，臺積電不但在20納米就已超越英特爾，16納米FinFET更大幅領(lǐng)先。

此外，面對三星先前一直強調(diào)16納米FinFET遠遠領(lǐng)先臺積電，臺積電率先提出產(chǎn)出成功案例，回擊三星的口水戰(zhàn)，等于左打英特爾，右踢三星，臺積電有信心在16納米FinFET會取得壓倒性勝利。

就半導體技術(shù)實力，著重看的是晶體管效能、芯片金屬層連結(jié)及芯片閘密度，而后兩者臺積電均已超過英特爾，一旦臺積電兩年內(nèi)在晶體管效能追平英特爾，臺積電將正式躍居全球半導體新霸主地位，為臺灣締造史無前例的歷史地位。
責任編輯：tzh