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加速“去美化”,長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Norris ? 2020-09-23 10:05 ? 次閱讀
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近期,加快芯片國產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國科技企業(yè)最重要的議題之一,中國存儲器芯片設(shè)計與制造公司——長江存儲正在加速生產(chǎn)。長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量,以爭取更多的市場份額。據(jù)DRAMeXchange此前統(tǒng)計的數(shù)據(jù),今年二季度全球NAND閃存行業(yè)的收入環(huán)比增長了6.5%至145億美元(約合1000億元人民幣),而加大存儲芯片產(chǎn)量的長江存儲,則有望從這個不斷增長的市場中收益。


近2年來,長江存儲已經(jīng)陸續(xù)開始對存儲芯片進(jìn)行量產(chǎn)。2019年9月,長江存儲宣布對其64層3D NAND閃存芯片進(jìn)行量產(chǎn),今年4月份發(fā)布全球首款128層QLC存儲芯片后,預(yù)計將于今年年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

外媒是援引產(chǎn)業(yè)鏈的消息,報道長江存儲將提高NAND閃存的出貨量的,不過是緩慢提高,不會是快速大幅提高,產(chǎn)業(yè)鏈方面也并未透露長江存儲NAND閃存目前的出貨量和提升的幅度。

對于迅猛發(fā)展的長江存儲,美日韓存儲芯片制造商早已感到擔(dān)憂。去年5月,外媒報道指出,隨著長江存儲芯片量產(chǎn),國際存儲芯片的競爭將加劇,價格很可能受到?jīng)_擊,這對美日韓存儲芯片出口來說,顯然是不利的。

如今,長江存儲開始提高NAND芯片產(chǎn)量,可能意味著外企此前的擔(dān)憂正在加速成為現(xiàn)實。值得一提的是,受到近期美國芯片出口規(guī)定調(diào)整的影響,長江存儲近期已經(jīng)制定了“加快自研”的機會,加緊測試“無美”設(shè)備的生產(chǎn)線。

據(jù)消息人士表示,目前長江存儲設(shè)備的國產(chǎn)化率約為30%,而在加速“去美化”的目標(biāo)下,該企業(yè)的目標(biāo)是將70%的設(shè)備都換成國產(chǎn)設(shè)備。對于美國來說,長江存儲提升產(chǎn)量、加大與外企競爭的同時,還在尋求“去美化”,長期來看將不利于美國設(shè)備對華出口。

長江存儲全稱為長江存儲科技有限責(zé)任公司,成立于2016年7月,總部位于武漢,是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM(設(shè)計、制造及測試)集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案,致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

長江存儲為合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒,嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2017年10月,長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計制造了國內(nèi)首款3D NAND閃存。2019年9月,搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)的64層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自長江存儲、DRAMeXchange,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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