以單片機(jī)和可編程邏輯器件（FPGA）為控制核心，設(shè)計(jì)了一個(gè)程控濾波器，實(shí)現(xiàn)了小信號(hào)程控放大、程控調(diào)整濾波器截止頻率和幅頻特性測(cè)試的功能。

FPGA數(shù)字信號(hào)處理--數(shù)字混頻
以簡(jiǎn)單的數(shù)字混頻為例，介紹在FPGA程序設(shè)計(jì)中很重要的二進(jìn)制原碼、補(bǔ)碼；有符號(hào)數(shù)、無(wú)符號(hào)數(shù)的問(wèn)題。本文不是像課本那樣介紹這些基礎(chǔ)概念，而是介紹很實(shí)際的設(shè)計(jì)方法。

單片機(jī)定時(shí)器中的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）
本文是有關(guān)微控制器定時(shí)器的系列文章中的第三篇。第一篇文章介紹了大多數(shù)類(lèi)型的計(jì)時(shí)器的主要功能，并介紹了周期性計(jì)時(shí)器，第二篇介紹了脈寬調(diào)制MCU計(jì)時(shí)器。

DRAM，SRAM，F(xiàn)LASH和新型NVRAM：有何區(qū)別？
DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前存儲(chǔ)器技術(shù)的比較。

通過(guò)安全退磁來(lái)切換感應(yīng)負(fù)載
對(duì)于大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用，工程師使用高端開(kāi)關(guān)來(lái)控制感性負(fù)載，而挑戰(zhàn)在于，當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)且電流不再流向負(fù)載時(shí)，如何釋放電感器中的能量。不能正確釋放此能量的負(fù)面影響包括繼電器觸點(diǎn)的潛在電弧放電，大的負(fù)電壓尖峰會(huì)損壞敏感的IC，以及會(huì)影響系統(tǒng)性能的高頻噪聲或EMI的產(chǎn)生。

變壓器運(yùn)用實(shí)例教程：變壓器調(diào)壓時(shí)電路性能的變化
我們在有關(guān)變壓器的一系列系列文章中看到，當(dāng)變壓器的初級(jí)繞組通電時(shí)，它會(huì)產(chǎn)生次級(jí)電壓和電流，次級(jí)電壓和電流的大小取決于變壓器的匝數(shù)比（TR）。因此，如果單相變壓器的降壓匝數(shù)比為2：1，并且將240V電壓施加到高壓初級(jí)繞組上，則我們希望在次級(jí)繞組上看到120 VAC的輸出端電壓，因?yàn)槲覀兗僭O(shè)成為理想的變壓器。