哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三代核電技術“國和一號”研發(fā)完成

ss ? 來源:廣東材料谷 ? 作者:廣東材料谷 ? 2020-10-16 09:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

陶瓷材料汽車尾氣凈化用蜂窩陶瓷材料供不應求 擴產(chǎn)項目加速度; 重磅利好!國務院常務會議通過《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》,四大要點公布;紫光國微擬發(fā)行可轉債募資15億元 投建安全芯片與車載控制器芯片等項目

產(chǎn)學研觀察

01

陶瓷材料汽車尾氣凈化用蜂窩陶瓷材料供不應求 擴產(chǎn)項目加速度

國六標準于2020年開始實施,對內燃機后處理系統(tǒng)排放限值要求比國五標準嚴苛50%以上,高性能蜂窩陶瓷是內燃機后處理產(chǎn)業(yè)的核心,是實現(xiàn)國六標準的最佳手段。目前美國康寧、日本NGK掌控著全球蜂窩陶瓷關鍵技術,并占據(jù)全球市場份額的90%以上,處于壟斷地位。

山東國瓷功能材料股份有限公司通過收購宜興王子制陶、江西博晶,完成了汽車尾氣催化材料板塊的整體布局,并掌握了蜂窩陶瓷、分子篩、鈰鋯固溶體等高端稀土催化材料的制備技術。

打破美日對我國的技術封鎖和行業(yè)壟斷!

02

我國再添國之重器!三代核電技術“國和一號”研發(fā)完成

近日,國家電力投資集團宣布,我國具有完全自主知識產(chǎn)權的三代核電技術“國和一號”完成研發(fā)。“國和一號”是我國十六個重大科技專項之一,代表著當今世界三代核電技術的先進水平,是我國核電技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的最新成果。

我國核電建設能力已處于全球領先水平!

03

隆達與美國企業(yè)技術合作,加速MicroLED量產(chǎn)

隆達電子與美國MicroLED巨量轉移技術先驅XDC公司,簽署技術授權、代工合約,雙方將協(xié)同開發(fā),加快量產(chǎn)化進程。XDC已建立超400多項廣泛且基礎的專利組合被業(yè)界認為是量產(chǎn)Micro LED顯示器的最佳方案。近年來,隆達電子在LED微小化專案投入研發(fā)、設備與人才,從晶粒、封裝、測試、模組、電路驅動器到系列一條龍整合。

Micro LED重大里程碑之一,有望順利打通巨量轉移的瓶頸段

投資擴產(chǎn)

01

紫光國微擬發(fā)行可轉債募資15億元 投建安全芯片與車載控制器芯片等項目


據(jù)了解,安全芯片是一個可獨立進行密鑰生成、加解密的裝置,內部擁有獨立的處理器和存儲單元,可存儲密鑰和特征數(shù)據(jù),提供加密和安全認證服務。同時,通過車軌級控制器芯片的研發(fā),一定程度上提升國內車載控制芯片數(shù)字化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化水平。此次投資將進一步實現(xiàn)公司多元化的市場布局,提升公司的核心競爭力。

不僅提升公司競爭力,也保證技術領先優(yōu)勢!

02

華為哈勃投資半導體激光器芯片研發(fā)企業(yè)源杰半導體

陜西源杰半導體技術有限公司成立于2013年,是一家自主研發(fā)、生產(chǎn)和銷售從2.5G到10G的半導體激光器芯片的高新技術企業(yè)。經(jīng)過多年的技術研發(fā),公司已擁有了完整獨立的自主知識產(chǎn)權,產(chǎn)品廣泛應用于互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、光纖到戶。

半導體技術再獲投資!

0.3

建設10年的Fab 42工廠全面投產(chǎn):Intel 10nm芯片產(chǎn)能提升50%

Intel于今日宣布,從2011年開始建設,歷時10年、總投資70億美元的Fab 42 工廠已全面開始運營,將大大緩解目前10nm芯片的產(chǎn)能危機。此前,Intel在以色列、俄勒岡州各有一家10nm工廠,隨著亞利桑那州10nm工廠的投產(chǎn),Intel現(xiàn)在共有3家10nm工廠,10nm芯片的產(chǎn)能也提升了50%以上。

移動端不會再出現(xiàn)14nm與10nm共存情況

開工投廠

01

恩智浦在美國設新廠,用于生產(chǎn)氮化鎵5G芯片

荷蘭恩智浦半導體(NXP)已在美國亞利桑那州開設一座新工廠,將為5G無線數(shù)據(jù)設備生產(chǎn)氮化鎵無線射頻芯片。利用氮化鎵量產(chǎn)芯片仍是一項具利基的嘗試,多數(shù)的供應來自恩智浦、SkyWorks Solutions與Qorvo。恩智浦表示,預計這座工廠年底前會產(chǎn)能全開。值此之際,美國政府正討論推出百十億美元的激勵計劃,用以讓更多芯片制造商將生產(chǎn)線遷回美國本土。

氮化鎵是硅的替代品,被視為第三代半導體材料

IPO動態(tài)

01

麥格納供應商翔樓新材創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理,擬募資2.68億元用于擴產(chǎn)

翔樓新材可根據(jù)客戶定制化需求提供優(yōu)質碳素結構鋼、合金結構鋼、彈簧鋼、軸承鋼、碳素工具鋼等特種鋼產(chǎn)品,公司產(chǎn)品主要應用于汽車行業(yè)。翔樓新材本次擬公開發(fā)行人民幣普通股不低于1866.67萬股,擬按照輕重緩急投資年產(chǎn)精密高碳合金鋼帶4萬噸項目和研發(fā)中心建設等項目。

致力于成為汽車零部件精密沖壓特殊鋼材料領先企業(yè)

政策觀察

01

重磅利好!國務院常務會議通過《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》,四大要點公布

《規(guī)劃》提出加大關鍵技術攻關,鼓勵車用操作系統(tǒng)、動力電車等開發(fā)創(chuàng)新;加強充換電、加氫等基礎設施建設,加快形成快充為主的高速公路和城鄉(xiāng)公共充電網(wǎng)絡;鼓勵加強新能源汽車領域國際合作;加大對公共服務領域使用新能源汽車的政策支持。2021年起,國家生態(tài)文明試驗區(qū)、大氣污染防治重點區(qū)域新增或更新公交、出租、物流配送等公共領域車輛,新能源汽車比例不低于80%。

快充成為重點,要求更加務實,新能源汽車產(chǎn)業(yè)進一步加速!

責任編輯:xj

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源
    +關注

    關注

    27

    文章

    6867

    瀏覽量

    114660
  • 芯片
    +關注

    關注

    463

    文章

    54425

    瀏覽量

    469328
  • 陶瓷
    +關注

    關注

    0

    文章

    158

    瀏覽量

    21522
  • 核電
    +關注

    關注

    2

    文章

    83

    瀏覽量

    11917
  • Micro LED
    +關注

    關注

    8

    文章

    648

    瀏覽量

    20966
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    氟硫一號橫空出世 固態(tài)電池產(chǎn)業(yè)化迎來核心材料新突破

    受阻。 ? 近日,浙江師范大學氟構芯能團隊研發(fā)的“氟硫一號”新型固態(tài)電池填構劑完成產(chǎn)業(yè)化落地,不僅在無人機電池場景試用中表現(xiàn)亮眼,更與多家行業(yè)企業(yè)達成合作意向,這成果精準破解了固態(tài)電
    的頭像 發(fā)表于 04-17 13:47 ?2338次閱讀

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1066次閱讀
    龍騰半導體推出全新第<b class='flag-5'>三代</b>超結MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>平臺

    華為助力上海交通大學“致遠一號”智算平臺全面落成

    2025年12月23日,上海交通大學聯(lián)合華為技術有限公司(以下簡稱“華為”)在交大閔行校區(qū)成功舉辦人工智能賦能教育高質量發(fā)展研討會暨“致遠一號”全面落成儀式。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:35 ?612次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣鳌?b class='flag-5'>一、
    發(fā)表于 12-25 09:12

    今日看點:“玲龍一號”全球首堆冷試成功;星電子發(fā)布HBM4E研發(fā)規(guī)劃

    “玲龍一號”全球首堆冷試成功,每年可發(fā)電10億度 ? 日前,全球首個陸上商用模塊化小型核反應堆“玲龍一號回路冷態(tài)功能試驗圓滿完成,為后續(xù)的熱試、反應堆裝料及商運奠定了堅實的基礎?!?/div>
    發(fā)表于 10-17 10:39 ?1134次閱讀

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1050次閱讀
    基本半導體B3M平臺深度解析:第<b class='flag-5'>三代</b>SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>與應用

    星火一號添加wifi后不能進入main函數(shù)怎么解決?

    > 星火一號開發(fā)板BSP,只使能RW007 WALN功能,編譯正常,但是下載完不能進入MAIN函數(shù),finsh功能正常
    發(fā)表于 09-15 08:15

    蘿麗三代12通遙控器原理圖資料

    蘿麗三代12通遙控器原理圖
    發(fā)表于 08-25 15:45 ?0次下載

    概倫電子與上海國投、上海芯合創(chuàng)一號基金簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

    委員、副總裁陸雯,上海芯合創(chuàng)一號基金委派代表吳巍代表方簽約。 袁國華表示,上海國投公司始終緊扣服務國家戰(zhàn)略與上?!拔鍌€中心”建設的核心任務,全力擔當上??萍紕?chuàng)新與產(chǎn)業(yè)策源孵化的主力軍,為打造世界級產(chǎn)業(yè)集群貢獻
    的頭像 發(fā)表于 07-28 10:15 ?2578次閱讀

    匯川技術核電專用高壓變頻裝置應用于“華龍一號”循環(huán)水泵

    近日, 匯川技術核電專用高壓變頻裝置”的總體方案在匯川技術濟南基地通過業(yè)主和專家評審,標志著該裝置在華能集團山東石島灣核電擴建期工程“華
    的頭像 發(fā)表于 07-16 10:46 ?1669次閱讀

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?911次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術</b>在第<b class='flag-5'>三代</b>半導體中的關鍵應用

    進迭時空第三代高性能核X200研發(fā)進展

    繼X60和X100之后,進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構研發(fā)三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達到了16SpecInt2006
    的頭像 發(fā)表于 06-06 16:56 ?1588次閱讀
    進迭時空第<b class='flag-5'>三代</b>高性能核X200<b class='flag-5'>研發(fā)</b>進展

    三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2849次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1073次閱讀
    瑞能半導體第<b class='flag-5'>三代</b>超結MOSFET<b class='flag-5'>技術</b>解析(1)
    化德县| 忻城县| 长兴县| 永福县| 儋州市| 大足县| 永城市| 石狮市| 九江市| 乐安县| 云和县| 江阴市| 磴口县| 霍林郭勒市| 砚山县| 铜梁县| 资兴市| 江西省| 安图县| 昌平区| 美姑县| 泰宁县| 阿勒泰市| 罗平县| 上饶市| 育儿| 平江县| 木兰县| 康乐县| 望城县| 建宁县| 延安市| 崇阳县| 乌什县| 乐平市| 库车县| 金湖县| 夏河县| 溧阳市| 孝昌县| 子洲县|