傳統(tǒng)的 SDR SDRAM 只能在信號的上升沿進行數(shù)據傳輸，而 DDR SDRAM 卻可以在信號的上升沿和下降沿都進行數(shù)據傳輸，所以 DDR 內存在每個時鐘周期都可以完成兩倍于 SDRAM 的數(shù)據傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據速率。舉例來說，DDR266 標準的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內存帶寬。

一般的內存條會注明 CL 值，此數(shù)值越低表明內存的數(shù)據讀取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM 的 CL 常見值一般為 2 和 2.5 兩種。

DDR
DDR 是雙倍數(shù)據速率(Double Data Rate)。DDR 與普通同步動態(tài)隨機存儲器（DRAM）非常相象。普通同步 DRAM（現(xiàn)在被稱為 SDR）與標準 DRAM 有所不同。

標準的 DRAM 接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，采用了多路傳輸?shù)姆桨?。第一地址字由原始地址選通（RAS）鎖存在 DRAM 芯片。緊隨 RAS 命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過 RAS 和 CAS，存儲的數(shù)據可以被讀取。

同步動態(tài)隨機存儲器（SDR DRAM)由一個標準 DRAM 和時鐘組成，RAS、CAS、數(shù)據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數(shù)據和剩余指令的位置。因而，數(shù)據鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據有效窗口的可預計性，所以可將存儲器劃分成 4 個區(qū)進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈沖串模式，可進行連續(xù)地址獲取而不必重復 RAS 選通。連續(xù) CAS 選通可對來自相同源的數(shù)據進行再現(xiàn)。

DDR 存儲器與 SDR 存儲器工作原理基本相同，只不過 DDR 在時鐘脈沖的上升和下降沿均讀取數(shù)據。新一代 DDR 存儲器的工作頻率和數(shù)據速率分別為 200MHz 和 266MHz，與此對應的時鐘頻率為 100MHz 和 133MHz。

SDR
DRAM 是動態(tài)存儲器(DynaMIC RAM)的縮寫 SDRAM 是英文 SynchronousDRAM 的縮寫，譯成中文就是同步動態(tài)存儲器的意思。從技術角度上講，同步動態(tài)存儲器(SDRAM)是在現(xiàn)有的標準動態(tài)存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態(tài)機)，利用一個單一的系統(tǒng)時鐘同步所有的地址數(shù)據和控制信號。使用 SDRAM 不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn)，還能簡化設計、提供高速的數(shù)據傳輸。在功能上，它類似常規(guī)的 DRAM，且也需時鐘進行刷新?？梢哉f，SDRAM 是一種改善了結構的增強型 DRAM。目前的 SDRAM 有 10ns 和 8ns。

審核編輯 黃昊宇