日前西安紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。紫光國芯之前做過DDR內(nèi)存芯片，還有就是NAND閃存，推出顯存相關(guān)的IP芯片還是第一次，而且水準不低。

制程工藝使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工藝，做的也是GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），可以理解為GDDR6顯存的主控芯片。

根據(jù)紫光國芯介紹，這個GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準，并允許設計工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應用的要求，如顯卡，游戲機和AI計算等。

該IP針對功耗和性能進行了優(yōu)化設計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率，同時兼容JEDEC250和DFI3.1標準。

物理接口（PHY）部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴格的時序規(guī)范。

與主流GDDR6存儲顆粒集成，經(jīng)過流片測試驗證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時滿足設計規(guī)格要求。且當數(shù)據(jù)率為16Gbps時，平均每個DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架。

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