Redmi Note 9 Pro系列性能參數(shù)介紹
11月26日晚間，“三劍客”Redmi Note 9系列發(fā)布，分別為Note 9 Pro、Note 9、Note 4G。
Redmi Note 9 Pro機(jī)身采用雙面GG5大猩猩玻璃、3D四曲面收弧，提供湖光秋色、靜默星空、碧海星辰三款配色。我們拿到的是湖光秋色版本。
作為最大賣(mài)點(diǎn)，Redmi Note 9 Pro全球首發(fā)第三代一億像素Sensor HM2，擁有旗艦級(jí)的1/1.52英寸超大底、旗艦級(jí)7P鏡頭，支持硬件級(jí)Remosaic快速拍照，比CC9 Pro提高3.8倍。
它還支持9合1像素融合，實(shí)現(xiàn)2.1μm融合大像素，加之AI超級(jí)夜景2.0算法加持，號(hào)稱同級(jí)最強(qiáng)夜景相機(jī)。
Redmi Note 9 Pro配備6.67英寸120Hz電競(jìng)高刷屏，觸控采樣率高達(dá)240Hz。中置超小孔孔徑僅為3.8mm，分辨率為2400x1080。
核心性能上，Redmi Note 9 Pro國(guó)內(nèi)首發(fā)驍龍750G。采用三星8nm LPU工藝，這也是高通7系平臺(tái)中首次采用旗艦級(jí)A77架構(gòu)的處理器。內(nèi)置4820mAh，支持33W疾速閃充，58分鐘快速回血。
售價(jià)方面，Redmi Note 9 Pro 6+128GB 1599元，8+128GB 1799元，8+256GB 1999元。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20323瀏覽量
254604 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
91文章
40908瀏覽量
302486 -
Redmi
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
620瀏覽量
27389
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索FMS6501：12輸入/9輸出視頻開(kāi)關(guān)矩陣的卓越性能與應(yīng)用
矩陣，為我們提供了豐富的功能和廣泛的應(yīng)用可能性。本文將深入剖析FMS6501的特點(diǎn)、性能參數(shù)、接口協(xié)議以及實(shí)際應(yīng)用，幫助電子工程師更好地了解和使用這款產(chǎn)品。 文件下載
Freescale MC9S08SE8系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析
Freescale MC9S08SE8系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器（MCU）是眾多項(xiàng)目的核心。Freescale的MC9S08SE8
探索NXP MC9S08PT60系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用指南
探索NXP MC9S08PT60系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用指南 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的微控制器（MCU）是項(xiàng)目成功的關(guān)鍵。NXP的MC9S08PT60
NXP MC9S08PT16系列微控制器：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
NXP MC9S08PT16系列微控制器：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器是眾多項(xiàng)目的核心組件。NXP的MC9S08PT16系列
NXP MC9S08PA16系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
NXP MC9S08PA16系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器（MCU）的選擇至關(guān)重要，它直接影響著產(chǎn)品的性能、功能和成本。NXP的MC
ON Semiconductor BMS3004 P-Channel Power MOSFET：性能參數(shù)與應(yīng)用要點(diǎn)
ON Semiconductor BMS3004 P-Channel Power MOSFET：性能參數(shù)與應(yīng)用要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的元件，其性能直接影響電路的效率和穩(wěn)定性
沃虎電子：共模電感的參數(shù)解讀與測(cè)試驗(yàn)證方法
共模電感作為電磁兼容設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元件，其性能參數(shù)直接影響濾波效果。然而，規(guī)格書(shū)中的參數(shù)往往不夠直觀，工程師需要理解參數(shù)含義并掌握驗(yàn)證方法。本文系統(tǒng)解讀共模電感的關(guān)鍵參數(shù)，
深入解析MC9S08LG32系列微控制器：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
深入解析MC9S08LG32系列微控制器：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 一、引言 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器扮演著至關(guān)重要的角色。Freescale Semiconductor的MC9S0
NXP MC9S08PA16系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
NXP MC9S08PA16系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器（MCU）是眾多項(xiàng)目的核心組件。NXP的MC9S08PA16系
Infinix正式發(fā)布全新年度旗艦NOTE 60系列
近日，Infinix正式發(fā)布全新年度旗艦NOTE 60系列，包括NOTE 60 Pro與NOTE 60，開(kāi)啟為全球用戶打造高端科技體驗(yàn)的新篇
施耐德電氣推出煥新一代Acti9 Pro終端配電系列產(chǎn)品
當(dāng)前，數(shù)字化與人工智能技術(shù)迭代加速、氣候變化下能源轉(zhuǎn)型需求愈發(fā)迫切，全球產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)深度轉(zhuǎn)型機(jī)遇。作為產(chǎn)業(yè)技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者與創(chuàng)新先行者，施家在活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)重磅推出煥新一代的Acti9 Pro終端配電
東材科技：M9樹(shù)脂核心技術(shù)分析
1、M9樹(shù)脂技術(shù)特性分析核心性能參數(shù)M9樹(shù)脂作為高端芯片封裝及覆銅板的關(guān)鍵材料，其核心性能參數(shù)構(gòu)建了“性能-需求-價(jià)值”的閉環(huán)體系，通過(guò)介電
MediaTek芯片助力REDMI Note 15 Pro性能升級(jí)
REDMI Note15 Pro新一代小金剛震撼來(lái)襲！真抗摔、真防水、長(zhǎng)續(xù)航，旗艦體驗(yàn)全配齊，為你刷新體驗(yàn)天花板。
REDMI K80至尊版首發(fā)搭載瑞聲科技至尊雙感系統(tǒng)
2025 REDMI里程碑之作——豪華性能旗艦REDMI K80 至尊版來(lái)了！
三相變壓器性能參數(shù)哪些指標(biāo)重要
三相變壓器性能參數(shù)中，對(duì)實(shí)際使用至關(guān)重要的指標(biāo)主要包括額定容量、額定電壓比、阻抗電壓、空載損耗與短路損耗、空載電流、額定電流以及聯(lián)結(jié)組別等，以下是對(duì)這些指標(biāo)的詳細(xì)分析：
評(píng)論