臺積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸，無可阻擋（當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不?。衲暌呀?jīng)量產(chǎn)5nm工藝，而接下來的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm，早已宣布會在2022年投入規(guī)模量產(chǎn)。

今天，臺積電又宣布，將會在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版，命名為“3nm Plus”，首發(fā)客戶是蘋果。

如果蘋果繼續(xù)一年一代芯片，那么到2023年使用3nm Plus工藝的，將會是“A17”。

臺積電沒有透露3nm Plus相比于3nm有何變化，但是顯然會有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運(yùn)行頻率。

按照臺積電的說法，3nm工藝相比于5nm可帶來最多70％的晶體管密度增加，或者最多15％的性能提升，或者最多30％的功耗降低。

此外，臺積電最近在2nm工藝上取得了重大內(nèi)部突破，預(yù)計(jì)有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年投入量產(chǎn)，同時(shí)繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝。

臺積電在3nm工藝上將延續(xù)FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管），2nm上則會首次引入全新的MBCFET（多橋通道場效應(yīng)晶體管），也就是納米片（nanosheet），可視為從二維到三維的跨越，能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。
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