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中國在半導體設備和材料上的核心技術,還處于受制于人的狀態(tài)?

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:半導體投資聯(lián)盟 ? 作者:半導體投資聯(lián)盟 ? 2020-12-30 16:11 ? 次閱讀
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12月17日,在2020年中國(上海)集成電路創(chuàng)新峰會上,清華大學教授、中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會理事長魏少軍指出,中國在半導體設備和材料上的核心技術,還處于受制于人的狀態(tài),產(chǎn)品處于中低端的情況還沒有改變。

他還對日本針對三種半導體材料對韓國實施制裁事件,表示中國目前在半導體裝備和材料上還發(fā)展緩慢,要引起警示。

集微知識產(chǎn)權對“半導體工藝和材料”領域的全球?qū)@治鼋Y果顯示,在全球1.3億條專利數(shù)據(jù)中,半導體工藝和材料的專利記錄至少有390萬條(注1),近20年的專利數(shù)量占到歷史總量的84%,近10年的專利數(shù)量占到歷史總量的50%,而到了最近五年,每年都有至少有16萬以上的新專利申請?zhí)岢觥?/p>

注1:從1960年代到1980年代期間的專利數(shù)據(jù)部分未在統(tǒng)計范圍內(nèi),總量因此可能會大于390萬。

顯示出,這一領域的創(chuàng)新活動和專利競爭越來越激烈。

未來,中國在解決半導體工藝和材料卡脖子問題時,要正視專利歷史上的“欠賬”問題。

目前,中芯國際是中國在這一領域里專利儲備領先的企業(yè)代表,按照今年6月中芯國際招股書披露數(shù)據(jù),中芯國際全球授權有效專利近9000件。如果加上其他中國大陸企業(yè)在“半導體工藝和材料”上的專利,中國在這一領域的專利數(shù)量大概在10萬這個量級,這與該技術歷史長河中的390萬相比,差距是顯而易見的。深層次反映的是我國創(chuàng)新主體在這方面的創(chuàng)新活躍度還遠遠不夠。

而且從國外咨詢機構給出的全球半導體硅IP市場趨勢來看,亞洲、歐洲和北美依然是未來的主要IP來源,但在報告分析的主流企業(yè)中,尚無一家中國大陸企業(yè)。

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此外,我們也不能以這個領域的特點之一還包括不公開的“技術秘密”為借口,去解釋專利少的問題。因為都是同樣的標準,為何日本、韓國、美國和中國臺灣的企業(yè)在專利布局上要遠遠多于大陸企業(yè)?而且這些區(qū)域企業(yè)知識產(chǎn)權策略意識普遍要好于大陸企業(yè)。所以,我們要追趕的不僅僅是技術,還有知識產(chǎn)權戰(zhàn)略。

日本之所以能在半導體材料上卡住“韓國”的脖子,與日本企業(yè)重視創(chuàng)新和大力推進知識產(chǎn)權戰(zhàn)略有很大關系。

1980-2000年的二十年間,日本企業(yè)幾乎統(tǒng)治了“半導體工藝和材料”專利TOP 10,雖然早期日本主要還是以引進美國和歐洲的先進技術為主,進行改良創(chuàng)新,但這并沒有影響到日本企業(yè)申請專利的熱情。2002年,日本政府發(fā)表《知識產(chǎn)權戰(zhàn)略大綱》,正式確立“知識產(chǎn)權立國”的國家戰(zhàn)略。

例如在1990-2000年的十年間,全球TOP 10中,日本企業(yè)占據(jù)8席,另外兩家分別是三星和SK海力士,韓國在專利上開始了追趕。

2000-2010年的10年間,日本企業(yè)專利TOP10強中還占有六席。這一時期,三星躍居第一位,臺積電也擠到第六名,應用材料公司加強了創(chuàng)新產(chǎn)出,又重回TOP10。全球第三大半導體設備提供商,同時也是日本最大的半導體電子設備提供商——東京電子,這一時期專利數(shù)量攀升很快,僅次于三星位列第二位。而主要以OLED創(chuàng)新為主的半導體能源實驗室也憑借Shunpei Yamazaki這個發(fā)明家總裁,擠進了前五。

最近五年,隨著OLED等半導體顯示技術的專利量猛增,半導體能源實驗室、三星SDI和京東方這件三家以半導體顯示為優(yōu)勢的企業(yè)都擠入了前十,中芯國際位列第九。除此之外,日本企業(yè)只剩下了東京電子,取而代之的是應用材料、英特爾和IBM三家傳統(tǒng)美國企業(yè)的回歸。臺積電超過三星,位居第一。美、日、韓、中專利混戰(zhàn)的局面更加明顯。

“半導體工藝和材料”的“日本專利統(tǒng)治時代”已經(jīng)逐漸褪去。

隨之而來的,是中國企業(yè)的快速崛起。在中芯國際之后,中國科學院和華虹半導體也都是中國在半導體工藝和材料專利上能夠挑起創(chuàng)新大梁的單位。

在這些企業(yè)的帶領下,中國大陸能否在專利上實現(xiàn)四十年前日本企業(yè)的“千帆競發(fā)”之勢?重現(xiàn)昔日“日本崛起之路”?恐怕還需要下更大的決心,找到更準的突破口實施攻關。

從全球半導體工藝和材料巨頭專利創(chuàng)新點來看,幾乎是圍繞在半導體設備和工藝的關鍵底層技術在進行開發(fā),而這些技術點,或許也正是中國大陸要逐步實現(xiàn)突破的必經(jīng)之路。

集微知識產(chǎn)權致力于為中國企業(yè)在“卡脖子”領域?qū)崿F(xiàn)自主創(chuàng)新突破,提供高效、高質(zhì)的知識產(chǎn)權咨詢/代理等“一站式”服務。為企業(yè)在FTO、競爭對手分析、高質(zhì)量專利鍛造、專利規(guī)避、專利挖掘布局、海外風險分析、SEP和專利池、專利交易許可等多維度提供專家意見和分析報告。

責任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:從全球“半導體工藝和材料”四十年專利史,看日本曾經(jīng)的崛起,與中國的未來

文章出處:【微信號:gh_eb0fee55925b,微信公眾號:半導體投資聯(lián)盟】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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