無錫利普思半導體有限公司（簡稱利普思半導體）近日完成Pre-A輪融資，由正泰集團領投、水木易德跟投，融資金額達4000萬元。利普思半導體成立于2019年11月，從事功率半導體模塊的封裝設計、生產和銷售。公司主要產品是應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電機驅動、光伏逆變、醫(yī)療器械等場景的IGBT模塊和SiC模塊。

本輪融資后，利普思半導體將進一步增強技術和產品研發(fā)力度，加大市場推廣力度，早日實現(xiàn)IGBT模塊和碳化硅（SiC）模塊的大批量生產。

半導體行業(yè)產業(yè)鏈主要包括設計、制造、封裝測試及下游應用等環(huán)節(jié)。利普思半導體從事的半導體模塊封裝在產業(yè)鏈中占據重要地位，主要任務是將芯片封裝在模塊內，為芯片提供穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，并提供芯片和應用系統(tǒng)之間的電、熱與機械的互聯(lián)。據中商產業(yè)研究院的數(shù)據，2019年我國半導體封裝測試的產業(yè)規(guī)模為為2494.5億元，2020年的產業(yè)規(guī)模將達到2841.2億元。

進行技術創(chuàng)新，提升半導體模塊功率

利普思半導體創(chuàng)始人梁小廣表示，功率模塊要面對高電壓、高發(fā)熱與各種苛刻的工作環(huán)境，產品結合了功率半導體、電氣、機械、材料、熱學、流體等多方面的學科，難度非常高。第三代半導體尤其是碳化硅（SiC）需要工作在更高的溫度，更大的電流密度，芯片散熱面積也只有IGBT的1/4以下，給散熱、可靠性與機械連接設計帶來極大的挑戰(zhàn)。

截至2020年9月，公司已獲得多項發(fā)明專利，在提升模塊電流能力和功率密度方面進行了多項技術創(chuàng)新。碳化硅芯片的表面連接采用全新的自主芯片連接專利技術（Arcbonding），可以在一個較小體積的碳化硅模塊里邊封裝入多達20個碳化硅芯片。目前特斯拉使用的碳化硅模塊只實現(xiàn)了2個碳化硅芯片的在一個碳化硅模塊的封裝。這一技術極大提高了模塊的功率密度和可靠性，還進一步降低導通電阻和寄生電感。

利普思在系統(tǒng)散熱方面也有自己的Know-how，實現(xiàn)了芯片到散熱基板、基板到水冷系統(tǒng)的全銀燒結結合，以及更合理的水流散熱結構設計。滿足了汽車廠商對水冷散熱中的冷卻液壓力損失的最小化。

據悉，利普思半導體總部位于無錫，已經在日本建立了研發(fā)中心，目前初具規(guī)模。團隊成員平均半導體從業(yè)時間為20年，曾就職于三菱、東芝、三洋、日立等公司。未來團隊人員還會繼續(xù)擴充。

跟隨行業(yè)趨勢，打造碳化硅模塊

在半導體行業(yè)中，硅由于其突出的穩(wěn)定性成為了第一代半導體材料。硅也是半導體產業(yè)的基礎材料。隨著行業(yè)發(fā)展，行業(yè)不斷對半導體的溫度、功率、電壓等指標提出新的性能要求，因此以碳化硅（SiC）材料為首的性能更好的第三代半導體材料開始受到終端用戶青睞。

利普思半導體的碳化硅基模塊產品碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，能夠開發(fā)出更適應高溫、高功率、高壓、高頻等惡劣條件的小型化功率半導體器件，能有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。使用碳化硅基的MOSFET模塊和使用硅基的IGBT模塊相比，能量損耗和體積更小，可以大幅降低終端用戶的成本支出。

因此，碳化硅基的模塊適合應用于新能源汽車、光伏、充電樁等對電流強度要求更高的場景中，在未來有逐漸取代硅基IGBT模塊的可能。根據CASA聯(lián)盟發(fā)布的《第三代半導體產業(yè)發(fā)展報告（ 2019）》預計，未來五年新能源汽車領域的碳化硅模塊市場規(guī)模的年均增長率將超過30%。

目前處于全球領先的晶圓供應商是科銳（Cree）和羅姆（ROHM）。據了解，近期科銳正投資10億美元以擴大其碳化硅制造能力，并已出售了其LED產品部門，要在未來專注于碳化硅晶圓的生產。

利普思半導體的兩位聯(lián)合創(chuàng)始人——芯片企業(yè)出身的梁小廣、新能源汽車行業(yè)出身的丁烜明都看到了碳化硅模塊的市場前景，想融合各行業(yè)的經驗，聯(lián)手實現(xiàn)碳化硅模塊技術的推廣。

據丁烜明介紹，汽車行業(yè)中，以特斯拉、蔚來、比亞迪為首的國內外車企和中車集團為首的國內企業(yè)的OEM （整車廠）和Tier1（一級供應商）都有用碳化硅模塊逐步取代IGBT模塊的需求。目前，利普思半導體已經和國內知名OEM和Tier1達成合作，合作開發(fā)主驅動控制器用的大功率碳化硅模塊，預計明年到后年實現(xiàn)量產出貨。

雙產品并行的商業(yè)模式

梁小廣表示，碳化硅模塊的市場將未來會逐漸擴大，但這一市場仍在起步階段，現(xiàn)在還不是公司的主要收入來源。目前公司也在生產IGBT模塊，以期獲得存量市場的收入。公司IGBT模塊的客戶來自于汽車行業(yè)、光伏行業(yè)和工業(yè)等領域。預計在2022年以前，IGBT模組帶來的收入都會占到總銷售額的70%-80%左右。2022-2023年以后，碳化硅模塊的銷售額占比將會逐漸增加。

目前，國內致力于IGBT和碳化硅模組研發(fā)的企業(yè)有英飛凌、斯達半導體等。德國企業(yè)英飛凌是半導體行業(yè)的國際巨頭。斯達半導體于2020年2月在A股主板上市，目前市值372億元。

據悉，英飛凌擁有生產IGBT芯片的能力，可實現(xiàn)自主供貨。斯達半導體自有產線，擬建設年超8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組的生產線。

談及和這些企業(yè)相比的優(yōu)勢，丁烜明表示，利普思運用的創(chuàng)新封裝技術，有大電流、高功率、低電感、高可靠性等技術優(yōu)勢，在模塊封裝的細分領域獨家領先。同時，斯普思對模塊的下游應用有更好的理解，能針對客戶需求進行定制化設計、生產。

今年，利普思半導體獲得的收入主要來自于IGBT和SiC模塊樣品的銷售，已與汽車行業(yè)、光伏行業(yè)的一些企業(yè)簽訂一些意向訂單，預計明年銷售額將得到快速上漲。

團隊方面，利普思半導體創(chuàng)始人梁小廣，上海交通大學研究生畢業(yè)，2004年畢業(yè)后就出國加入日本三菱電機功率半導體事業(yè)部。其間成功完成數(shù)款世界領先的功率器件。后在全球領先的汽車零部件一級供應商采埃孚從事第三代功率半導體（SiC）的模塊封裝技術研究，并取得多項發(fā)明專利。

聯(lián)合創(chuàng)始人丁烜明研究生畢業(yè)于上海大學電機與電器專業(yè)，曾任上海電驅動事業(yè)部總監(jiān)，熟悉功率模塊市場和應用，以及OEM的供應鏈配套和質量體系要求。

投資方觀點：

本輪融資的領投方正泰集團的戰(zhàn)略投資部總經理程昱昊表示：“第三代半導體技術，相比較而言國內外差距較小，我們具有換道超車的機會。利普思作為國內領先的碳化硅模塊踐行者，具有完備的團隊架構、先進的技術和豐富的行業(yè)經驗，是國內一股不可忽視的新興力量。正泰希望通過本次投資，加強與利普思的深層次合作，依托正泰在工業(yè)和能源方面的產業(yè)基礎，賦能利普思下游應用?！?/p>

水木易德投資管理合伙人趙俊超表示：“氫能源燃料電池汽車也是一種新能源電動汽車，而功率半導體器件在新能源電動汽車產業(yè)鏈中的位置十分重要，在能量形式的控制和轉換中起到核心作用。作為功率半導體模塊的優(yōu)秀本土供應商，利普思將會在水木易德投資重點布局的氫能交通產業(yè)鏈中發(fā)揮重要作用?！?br /> 責任編輯:tzh