臺積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進度推遲
1月3日消息，據(jù)國外媒體報道，臺積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進的3nm也在按計劃推進中，臺積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成，計劃在今年風險試產(chǎn)，明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
但產(chǎn)業(yè)鏈方面最新的消息顯示，臺積電和三星3nm制程工藝的研發(fā)均遇到了挑戰(zhàn)，遇到了不同的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，研發(fā)進度也不得不推遲。
臺積電CEO魏哲家此前在財報分析師電話會議上透露的消息顯示，他們的3nm工藝仍將采用成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET）。而三星的3nm工藝則由不同，外媒稱他們將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。
目前還不清楚臺積電和三星3nm工藝研發(fā)過程中遇到的關(guān)鍵瓶頸，會對研發(fā)進程造成多大的影響，是否會影響到最終的量產(chǎn)時間也還不得而知。
對于臺積電的3nm工藝，外媒此前在報道中稱他們準備了4波產(chǎn)能，首波產(chǎn)能中的大部分將留給多年的大客戶蘋果，后三波產(chǎn)能將被高通、英特爾、賽靈思、英偉達、AMD等廠商預(yù)訂。
責任編輯：YYX
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發(fā)表于 09-02 11:26
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發(fā)表于 04-18 10:52
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