日前，市場分析機(jī)構(gòu)Yole Développement 發(fā)布了2020年第四季度復(fù)合半導(dǎo)體季度市場監(jiān)測報(bào)告。據(jù)報(bào)告預(yù)測，截至 2025 年，GaN RF3器件市場整體規(guī)模將超過 20 億美元。Yole進(jìn)一步指出，在2019 年至 2025 年間，GaN RF的 CAGR為 12%。

而這一市場的發(fā)展動(dòng)力來自電信和國防應(yīng)用。

Yole化合物半導(dǎo)體監(jiān)測團(tuán)隊(duì)的技術(shù)與市場分析師 Ahmed Ben Slimane 博士稱：“在充滿活力的 5G 基礎(chǔ)設(shè)施市場中，追求更高效天線類型的競賽從未停止。從 RRH向AAS的技術(shù)轉(zhuǎn)型將把射頻前端技術(shù)從少數(shù)高功率射頻產(chǎn)品線變?yōu)榇罅康凸β噬漕l產(chǎn)品線”。

同時(shí)，在 Sub-6GHz 和毫米波頻段部署的更高頻率促使各 OEM尋找?guī)捀?、效率更高、熱管理更好的新型天線技術(shù)平臺(tái)。在此背景下，氮化鎵技術(shù)在射頻功率應(yīng)用中已構(gòu)成對 LDMOS8和砷化鎵的真正競爭，它的性能和可靠性都在持續(xù)提升，可能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級的成本降低。

繼 GaN-on-SiC對 4G LTE電信基礎(chǔ)設(shè)施市場的滲透之后，這項(xiàng)技術(shù)在 5G sub-6Hz RRH 的實(shí)施中也有望保持強(qiáng)勢地位。

然而，在 5G sub6Ghz AAS 的新興細(xì)分市場——大型 MIMO部署中，氮化鎵和 LDMOS 之間的競爭仍在繼續(xù)。盡管具有成本效益的 LDMOS 技術(shù)在 sub-6GHz 頻段的高頻性能方面持續(xù)取得顯著進(jìn)展，但 GaN-on-SiC 能帶來出色的帶寬、PAE和功率輸出。

在談GaN RF的同時(shí)，Yole還對GaAs RF的未來做了預(yù)測。按照他們提供的數(shù)據(jù)，射頻砷化鎵裸片市場規(guī)模將從 2019 年的 28 億美元左右增值2025 年的 36 億美元以上。驅(qū)動(dòng)該市場增長的是手機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?5G 和 WiFi 6 的需求增加。

Yole指出，隨著每部手機(jī)上的 PA含量不斷增加，手機(jī)市場已成為砷化鎵器件發(fā)展的一大動(dòng)力。

一般來說，4G LTE手機(jī)需要覆蓋多個(gè)頻段，因此每部手機(jī)上就需要越來越多的 PA。5G 技術(shù)對 PA 的需求量至少是 4G 對 PA 的需求量的 2 倍。此外，對線性度和功率的嚴(yán)格要求使砷化鎵成為射頻 FEM中 PA 材料的理想選擇。

他們指出，盡管 CMOS 能令每個(gè)芯片的成本更低，但在模塊層面和性能方面，它不一定比 GaAs 更具優(yōu)勢。

“對于提高移動(dòng)設(shè)備的連接性，Wi-Fi 6 從 2019 年開始進(jìn)入市場”，Yole 化合物半導(dǎo)體與新興材料業(yè)務(wù)部的技術(shù)與市場分析師 Poshun Chiu 解釋道。

他補(bǔ)充說：“一些 OEM 推出了支持 Wi-Fi 6 的新機(jī)型：2019年第一季度三星的 Galaxy S10、2019年第三季度蘋果的 iPhone11，以及在 2020年第一季度，小米成為了首家擁有 Wi-Fi 6 技術(shù)的中國手機(jī)公司。與傳統(tǒng)解決方案相比，GaAs 解決方案以其在線性度和高功率輸出方面的表現(xiàn)越來越受到人們的關(guān)注。"

作為領(lǐng)先的射頻器件供應(yīng)商，Qorvo在這兩個(gè)產(chǎn)品線上都有廣泛的布局。

首先看氮化鎵方面

據(jù)Qorvo FAE經(jīng)理荀穎早前的介紹，Qorvo 5G氮化鎵的優(yōu)勢在于它不僅可以滿足市場對頻率、帶寬以及效率的需求，還能保障器件的使用壽命。

荀穎表示：“目前隨著氮化鎵技術(shù)市場應(yīng)用的推廣，其成本已經(jīng)非常適合商業(yè)化發(fā)展?！睘闈M足5G高頻率需求，Qorvo也協(xié)助基站制造商在向氮化鎵（GaN）功率放大器轉(zhuǎn)變，積極部署宏基站和大規(guī)模MIMO網(wǎng)絡(luò)，助推全球5G基礎(chǔ)設(shè)施部署。

荀穎進(jìn)一步指出，從工藝的角度來看，目前，Qorvo 可以提供從90納米到0.56米的氮化鎵團(tuán)隊(duì)。以高電壓低頻率范圍舉例，Qorvo的0.25μm高壓技術(shù)（即QGaN25HV）開始發(fā)揮作用。QGaN25HV使我們能夠通過0.25μm器件升高至48V，實(shí)現(xiàn)高增益和功率效率。QGaN25HV非常適合邁向6GHz的5G基站。

除了氮化鎵之外，Qorvo在發(fā)射端也有砷化鎵產(chǎn)品，而接收端則包括了砷化鎵和SOI及BAW的特色工藝技術(shù)。

原文標(biāo)題：Yole：2025年，GaN RF市場規(guī)模將超過20億美元

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