哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ST第三代碳化硅(SiC)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)新發(fā)展

意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體PDSA ? 作者:意法半導(dǎo)體PDSA ? 2021-12-17 17:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用

持續(xù)長(zhǎng)期投資SiC市場(chǎng),意法半導(dǎo)體迎接未來(lái)增長(zhǎng)

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管「MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本元器件?!?,推進(jìn)在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。

作為SiC功率MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,意法半導(dǎo)體整合先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù),進(jìn)一步挖掘 SiC的節(jié)能潛力,繼續(xù)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)變革。隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)加速發(fā)展,許多整車(chē)廠商和配套供應(yīng)商都在采用 800V驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),以加快充電速度,幫助減輕電動(dòng)汽車(chē)重量。新的800V系統(tǒng)能夠幫助整車(chē)制造商生產(chǎn)行駛里程更長(zhǎng)的汽車(chē)。意法半導(dǎo)體的新一代SiC器件專門(mén)為這些高端汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了設(shè)計(jì)優(yōu)化,包括電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電機(jī)逆變器、車(chē)載充電機(jī)、DC/DC變換器和電子空調(diào)壓縮機(jī)。新一代產(chǎn)品還適合工業(yè)應(yīng)用,可提高驅(qū)動(dòng)電機(jī)、可再生能源轉(zhuǎn)換器和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電信電源、數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用的能效。

" 意法半導(dǎo)體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部副總裁、功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli表示:

我們繼續(xù)推進(jìn)這一激動(dòng)人心的技術(shù)發(fā)展,在芯片和封裝兩個(gè)層面不斷創(chuàng)新。作為一家全盤(pán)掌控供應(yīng)鏈的 SiC產(chǎn)品制造商,我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┬阅艹掷m(xù)改進(jìn)的產(chǎn)品。我們?cè)诓粩嗟赝顿Y推進(jìn)汽車(chē)和工業(yè)項(xiàng)目,預(yù)計(jì) 2024 年意法半導(dǎo)體SiC營(yíng)收將達(dá)到 10 億美元。

意法半導(dǎo)體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺(tái)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,從該技術(shù)平臺(tái)衍生的大部分產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2021年底前達(dá)到商用成熟度。標(biāo)稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市,為設(shè)計(jì)人員研發(fā)從市電取電,到電動(dòng)汽車(chē)高壓電池和充電機(jī)供電的各種應(yīng)用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。

參考技術(shù)信息

意法半導(dǎo)體最新的平面MOSFET利用全新的第三代SiC技術(shù)平臺(tái),為晶體管行業(yè)樹(shù)立了新的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 標(biāo)桿,業(yè)界認(rèn)可的FoM [導(dǎo)通電阻 (Ron) x 裸片面積和Ron x 柵極電荷 (Qg)]算法表示晶體管能效、功率密度和開(kāi)關(guān)性能。用普通硅技術(shù)改善FoM 變得越來(lái)越困難,因此,SiC技術(shù)是進(jìn)一步改進(jìn)FoM的關(guān)鍵。意法半導(dǎo)體第三代SiC產(chǎn)品將引領(lǐng)晶體管FoM進(jìn)步。

碳化硅MOSFET的單位面積耐受電壓額定值比硅基MOSFET高,是電動(dòng)汽車(chē)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的最佳選擇。SiC還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn),寄生二極管開(kāi)關(guān)速度非常快,電流雙向流動(dòng)特性適用于電動(dòng)汽車(chē)對(duì)外供電(V2X)車(chē)載充電機(jī)(OBC),可以從車(chē)載電池取電供給基礎(chǔ)設(shè)施。此外,SiC晶體管的開(kāi)關(guān)頻率非常高,為在電源系統(tǒng)中使用尺寸更小的無(wú)源器件提供了可能,從而可以在車(chē)輛中使用更緊湊和輕量化的電氣設(shè)備。這些產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)還有助于降低工業(yè)應(yīng)用中的擁有成本。

意法半導(dǎo)體第三代產(chǎn)品有多種封裝可選,包括裸片、分立功率封裝(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)和ACEPACK系列的功率模塊。這些封裝為設(shè)計(jì)者提供了創(chuàng)新功能,例如,專門(mén)設(shè)計(jì)的冷卻片可簡(jiǎn)化芯片與電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的基板和散熱器的連接,這樣,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)應(yīng)用選擇專用芯片,例如,動(dòng)力電機(jī)逆變器、車(chē)載充電機(jī) (OBC)、DC/DC變換器、電子空調(diào)壓縮機(jī),以及工業(yè)應(yīng)用,例如,太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和電源。

有關(guān)意法半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品組合

和最新的第三代MOSFET的更多信息

相關(guān)閱讀

版圖再擴(kuò)!ST攜手A*STAR微電子研究所研發(fā)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)用碳化硅

意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間

再加碼!Cree旗下Wolfspeed與ST擴(kuò)大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

點(diǎn)擊“閱讀原文”,了解更多

原文標(biāo)題:重磅!ST第三代碳化硅產(chǎn)品問(wèn)世,引領(lǐng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)新變革

文章出處:【微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31185

    瀏覽量

    266280
  • ST
    ST
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1193

    瀏覽量

    132743
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3537

    瀏覽量

    52644
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    博世碳化硅技術(shù)路線圖持續(xù)演進(jìn)

    在新能源汽車(chē)快速發(fā)展的背景下,碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體正成為推動(dòng)電動(dòng)化的重要核心技術(shù)。博世通過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 03-24 16:34 ?340次閱讀

    碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

    在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下,碳化硅SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表,正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場(chǎng)格局。電子聚焦新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型
    的頭像 發(fā)表于 03-17 09:02 ?546次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

    氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

    摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能,在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響S
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:40 ?1497次閱讀
    氮化硼墊片在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體功率器件<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

    SiC碳化硅MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電源架構(gòu)的解析

    在全球電力電子產(chǎn)業(yè)向第三代半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型的宏大背景下,碳化硅SiC)MOSFET憑借其寬禁帶特性帶來(lái)的高頻、高壓、耐高溫優(yōu)勢(shì),正重塑新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能及高端工業(yè)裝備的能效標(biāo)準(zhǔn)。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 14:42 ?610次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電源架構(gòu)的解析

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?521次閱讀

    碳化硅MOSFET的串?dāng)_來(lái)源與應(yīng)對(duì)措施詳解

    碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用越來(lái)越廣泛,成為高壓、大功率應(yīng)用(如電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源并網(wǎng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等)的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)頻率和優(yōu)異的耐高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 06:23 ?1.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的串?dāng)_來(lái)源與應(yīng)對(duì)措施詳解

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    %。研發(fā)與認(rèn)證成本技術(shù)迭代:GaN技術(shù)處于快速發(fā)展期,Neway需持續(xù)投入研發(fā)(如第三代模塊研發(fā)費(fèi)用占比超15%)以保持技術(shù)領(lǐng)先。行業(yè)認(rèn)證:進(jìn)入新能源車(chē)、軌道交通等領(lǐng)域需通過(guò)AEC-Q100、ISO
    發(fā)表于 12-25 09:12

    Wolfspeed碳化硅器件推動(dòng)豐田公司純電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展

    展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,憑借提升的效率和性能,助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略,推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 12-13 11:09 ?2209次閱讀

    ST ADP360120W3 ACEPACK DRIVE:面向電動(dòng)汽車(chē)牽引系統(tǒng)的高性能SiC功率模塊

    STMicroelectronics ADP360120W3 ACEPACK DRIVE電源模塊優(yōu)化用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器。該模塊具有基于碳化硅功率MOSFET(第三代)的開(kāi)關(guān)。該器件的R
    的頭像 發(fā)表于 10-28 14:15 ?699次閱讀
    <b class='flag-5'>ST</b> ADP360120W3 ACEPACK DRIVE:面向<b class='flag-5'>電動(dòng)汽車(chē)</b>牽引系統(tǒng)的高性能<b class='flag-5'>SiC</b>功率模塊

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1031次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 09-21 16:12 ?1930次閱讀
    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>G3<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?877次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1638次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅SiC),它們?cè)陔娏﹄娮?、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2809次閱讀

    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?1032次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>SiC</b>的動(dòng)態(tài)特性
    安乡县| 万安县| 绵竹市| 永顺县| 唐河县| 盘山县| 洱源县| 金乡县| 本溪市| 宝鸡市| 慈溪市| 银川市| 内黄县| 木里| 兴安县| 姜堰市| 工布江达县| 彭阳县| 开平市| 宁夏| 商水县| 赞皇县| 郓城县| 清涧县| 虎林市| 潜江市| 博湖县| 崇信县| 讷河市| 汕头市| 宕昌县| 阜平县| 龙游县| 南漳县| 剑川县| 高邑县| 睢宁县| 洪湖市| 丹棱县| 安康市| 乌恰县|