耗盡型MOSFET開關(guān)，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強型FET的同屬，卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導體投入該技術(shù)，開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地解決工程問題。此

簡介

增強型FET用于當今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中，工作模式基于簡單的概念?？紤]到增強型NFET采用共源極結(jié)構(gòu)（圖1，左）-當門極與源在相同的電勢，漏源極之間的溝道電阻很高，我們認為晶體管是‘關(guān)斷’的。這些FET需要一個正的門極到源電壓，以導通溝道，并在漏源極之間傳導。當沒有完全飽和時，這些FET的溝道電阻會有很大的變化。這可能導致模擬信號的問題，需要在整個信號幅度范圍的低失真。此外，當采用增強型FET的模擬開關(guān)失去電源時，其狀態(tài)是不確定的；它不會很好地傳導，很可能也不會很好地隔離信號。

圖1：增強型對比耗盡型MOSFET

耗盡型FET與增強型FET互為補足：對于采用相同結(jié)構(gòu)的耗盡型NFET（圖1，右），溝道電阻較低，并且溝道被認為是“導通”的。因此，在默認的無電源狀態(tài)下，耗盡FET是傳導的，且由于它們的設(shè)計，其溝道電阻是線性的，這使得它們在整個信號幅度范圍具有極低的失真。

基于耗盡型FET的模擬開關(guān)通常有控制電路，以便在器件上電時啟用或禁用開關(guān)路徑。該控制電路使用電荷泵產(chǎn)生隔離開關(guān)路徑所需的電壓。因此，禁用（隔離）開關(guān)路徑會耗電。對于信號隔離時間相對較短的應(yīng)用來說，這通常不是問題。否則，選擇一個電荷泵耗電低的器件是很重要的。

雖然許多硅供應(yīng)商吹噓他們的耗盡型方案為默認的“導通”，但其器件的電阻并不是完全線性的，導致信號失真或電阻率不一致。安森美半導體開發(fā)了專有的耗盡型FET，配合專利的設(shè)計技術(shù)，以在無電源時失真較低。

解決降噪耳機電池電量耗盡的問題

當降噪耳機首次被廣泛使用時，使用它們的好處顯而易見。人們終于可以忍受那些漫長而嘈雜的飛機旅行了；在背景噪音的嗡嗡聲中，聽著那首最受歡迎的古典音樂，從普通的體驗變成了沉浸式的體驗。但是，這些耳機需要電池才能消除噪音，當電池耗盡時，耳機就沒用了。有些設(shè)計試圖克服這一點，通常是通過機械旁路開關(guān)，但這些方案總是需要用戶親自動手。

考慮FSA553：當供電時，這負擺幅、雙通道SPST耗盡型模擬開關(guān)與降噪的DSP并聯(lián)，支持設(shè)計人員通過耳機中降噪的DSP傳送立體聲音頻，同時電池進行充電。當電池電壓降到對DSP太低時，對DSP和FSA553的電壓供應(yīng)就會禁用。在這種狀態(tài)下，音頻信號繞過DSP并通過FSA553路由到耳機，從而創(chuàng)建改進的用戶體驗，其中音頻聆聽體驗在電池放電時自動繼續(xù)。FSA553的0.4歐姆（典型值）低信道電阻和-104 dBV （非A加權(quán)）超低總諧波失真加噪聲（THD+N）的提供低損耗和實際無失真的立體音頻旁路。

采用USB Type C移動設(shè)備附件可省電

考慮通過USB Type C將移動設(shè)備連接到受電附件的應(yīng)用。一旦附件通過VCONN連接并通電，附件中仍有電流流過接地的Ra電阻（圖2）。對于5V的VCONN和1千歐姆的Ra，提供5mA DC電流，這無需從移動設(shè)備獲取。然而，對于使用微控制器或類似器件的附件，附件器件上的單通道SPST耗盡型模擬開關(guān)如FSA515與Ra電阻器串聯(lián)可提供能力以在完成USB Type C檢測之后隔離Ra電阻器接地路徑。

圖2：Type-C附件在檢測后有電流流過Ra電阻

通過在附件控制器上使用GPIO和一些固件編碼以在成功檢測后對FSA515的VDD引腳供電（圖3），在連接時，所增加的電流消耗可從5mA減小到僅約30uA，節(jié)省了近25mW的功率。此外，F(xiàn)SA515的超小占位減少了所增加的方案面積到2，包括分立器件。

圖3：Type-C附件在檢測后隔離Ra電阻

機會

耗盡型模擬開關(guān)具有多種用途，并特別適用于在沒有電源的情況下傳導高保真信號。這使得它們常用作旁路開關(guān)，可在需要時用作在電源下隔離的低功率默認路徑，或者作為在講究省電應(yīng)用中降低損耗的設(shè)計靈活的方案。隨著設(shè)計轉(zhuǎn)向更低的損耗和增加的復(fù)雜性，耗盡型模擬開關(guān)成為在低功率產(chǎn)品中路由高保真模擬信號的越來越有用的工具。

審核編輯：郭婷