1.產(chǎn)品概述
PT8026N 是一款電容式觸摸控制 ASIC,支持 6 通道觸摸輸入,一對(duì)一同步 NMOS 開(kāi)漏輸出。算法帶有自補(bǔ)償功能,具有低功耗、高抗干擾、寬工作電壓范圍、高穿透力的突出優(yōu)勢(shì)。
2.主要特性
?工作電壓范圍:2.4~5.5V
?工作電流:3mA(正常模式);20uA(低功耗模式)@VDD=5V&CMOD=10nF
?6 通道觸摸輸入
?一對(duì)一直接同步 NMOS 開(kāi)漏輸出,未按鍵時(shí)為高阻態(tài),按鍵為低電平輸出
?算法可自補(bǔ)償修正觸摸通道差異或走線長(zhǎng)短不一致情況
?CMOD 腳外接電容可調(diào)節(jié)靈敏度,電容越大靈敏度越高
?具有防水功能,當(dāng)水漫或成片水珠覆蓋在觸摸面板時(shí),按鍵仍可有效判別
?內(nèi)置穩(wěn)壓源、上電復(fù)位和低壓復(fù)位等硬件模塊
?內(nèi)置實(shí)時(shí)環(huán)境自適應(yīng)、高效數(shù)字濾波等軟件算法
?所有輸出引腳無(wú)論是否使用均需接上拉電阻,否則會(huì)導(dǎo)致休眠狀態(tài)下功耗變大
?HBM ESD 優(yōu)于 5KV
3.封裝

4.應(yīng)用電路

審核編輯:符乾江
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54369瀏覽量
468873 -
觸控IC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
58瀏覽量
20493
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深入解析 onsemi NTMFS3D6N10MCL N 溝道功率 MOSFET
深入解析ISL8026和ISL8026A同步降壓調(diào)節(jié)器
安森美NVMFS6H818N:高性能N溝道MOSFET的卓越之選
深入剖析LTM8026:高效電源解決方案
FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET? MOSFET的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
普誠(chéng)PT5606/PT5607高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的核心優(yōu)勢(shì)
?STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析
PT8026N-6觸控6輸出 IC
評(píng)論