當今最常見的三端半導體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管。它是FET的變體。另一方面,BJT是雙極結(jié)型晶體管。
1.MOSFET和BJT的應用
MOSFET和BJT都適合用作電子開關(guān)。它們都可用作繼電器驅(qū)動器、信號逆變器、電源開關(guān)等等。 兩者在信號放大器中也很有名。但是,與MOSFET相比,BJT電路要求和分析更容易,MOSFET被廣泛用作開關(guān)。 一些MOSFET應用像如何使用MOSFET作為電池反向保護或者如何用MOSFET驅(qū)動繼電器。
2. MOSFET和BJT的結(jié)構(gòu)比較
在結(jié)構(gòu)方面,MOSFET和BJT比較有很大不同。 MOSFET是耗盡型或增強型。增強型是最主要的。 MOSFET也是N溝道 (NMOS) 或P溝道 (PMOS)。這與主要的電荷載流子有關(guān)。NMOS通常用作低側(cè)驅(qū)動器,而PMOS通常用于高側(cè)驅(qū)動。 MOSFET是一種三端半導體器件。它具有柵極 (G)、漏極 (D) 和源極 (S)。以下是 MOSFET 的電路符號。

就主要電荷載流子而言,BJT是NPN或PNP。NPN在低側(cè)驅(qū)動中很常見,而PNP主要是高側(cè)驅(qū)動。BJT與MOSFET一樣具有三個端子。它具有基極 (B)、集電極 (C) 和發(fā)射極 (E)。以下是 NPN(左)和 PNP(右)版本的電子符號。

審核編輯:湯梓紅
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