季豐最新引進(jìn)GK-HTRB-C16/CH8機(jī)臺，新機(jī)臺的能力完全滿足大部分功率器件HTRB測試的要求，功率可靠性測試的產(chǎn)能將大幅提高，有需要的客戶可以聯(lián)系我們的銷售。新引進(jìn)的設(shè)備的適用范圍，符合標(biāo)準(zhǔn)，技術(shù)特點如下:

適用范圍

?系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的Si/SiC/GaN 材料的 IGBT /DIODE /MOSFET /HEMT /BJT /SCR 等器件的HTRB 試驗。

符合標(biāo)準(zhǔn)

?試驗線路及試驗方法滿足JESD22-101、MIL-STD-750 Method 1038及AEC-Q101、GJB128A 等試驗標(biāo)準(zhǔn)要求。

技術(shù)特點

?數(shù)據(jù)庫加載導(dǎo)入，自動完成試驗過程，方便操作使用;

?被試器件DUT老化電源采用分區(qū)統(tǒng)一供給，程控方式;

?實時監(jiān)控每個器件的漏電流IR，可輸出試驗報表并描繪出 完整的變化曲線;

?系統(tǒng)具有數(shù)據(jù)自動備份功能，意外斷電數(shù)據(jù)不會丟失;

?可根據(jù)用戶的需求，定制各種老化板及測試程序

HTRB：設(shè)備能力

HTRB介紹：

HTRB是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目，其目的是暴露時間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷，這些缺陷通常是鈍化層的可移動離子或溫度驅(qū)動的雜質(zhì)。半導(dǎo)體器件對雜質(zhì)高度敏感，制造過程中有可能引入雜質(zhì)。雜質(zhì)在強(qiáng)電場作用下會呈現(xiàn)加速移動或擴(kuò)散現(xiàn)象，最終雜質(zhì)將擴(kuò)散至半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效，HTRB試驗可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件。

基本半導(dǎo)體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般測試標(biāo)準(zhǔn)的150℃。器件175℃的環(huán)境溫箱里被施加80%的反壓，會出現(xiàn)漏電現(xiàn)象。如果在1000小時內(nèi)漏電參數(shù)未超出規(guī)格底線，且保持穩(wěn)定不發(fā)生變化，說明器件設(shè)計和封裝組合符合標(biāo)準(zhǔn)。

原文標(biāo)題：季豐新增加HTRB機(jī)臺了

文章出處：【微信公眾號：上海季豐電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯：湯梓紅