本篇主要介紹Xilinx FPGA的電源設(shè)計(jì),主要包括電源種類、電壓要求、功耗需求,上下電時(shí)序要求,常見的電源實(shí)現(xiàn)方案等。
1、電壓種類及要求
隨著FPGA的發(fā)展,其電壓類型越來越豐富,主要包括以下幾種類型:
Processor System電壓,主要給Zynq系列SoC中的ARM供電,包括VCC_PSINTFP、VCC_PSINTLP、VCC_PSAUX、VCC_PSINTFP_DDR、VCC_PSADC、VCC_PSPLL、VPS_MGTRAVCC、VPS_MGTRAVTT、VCCO_PSDDR、VCC_PSDDR_PLL、VCCO_PSIO、VCC_PSBATT等;
FPGA Logic電壓,主要給FPGA邏輯部分供電,包括VCCINT、VCCINT_IO、VCCBRAM、VCCAUX、VCCO、VCCAUX_IO、VBATT等;
GTx Transceiver電壓,主要給FPGA部分的GTx高速收發(fā)器供電,包括VCCINT_GT、VMGTAVCC、VMGTAVTT、VMGTVCCAUX、VMGTAVTTRCAL;
System Monitor電壓,主要給FPGA部分的ADC供電,包括VCCADC、VREFP;
High Bandwidth Memory電壓,包括VCC_HBM、VCC_IO_HBM、VCCAUX_HBM;
VCU電壓,只有Zynq UltraScale+ MPSoC系列帶圖像處理內(nèi)核的器件才有,包括VCCINT_VCU;
RF電壓,只有Zynq UltraScale+ RFSoC系列才有,包括VADC_AVCC、VADC_AVCCAUX、VDAC_AVCC、VDAC_AVCCAUX、VDAC_AVTT、VCCINT_AMS、VCCSDFEC;
以上各種電壓的供電對象不同,對精度的要求也不一樣,針對不同架構(gòu)的FPGA,其對電壓的精度要求也不一樣,其紋波范圍從2%到5%不等,但整體要求都比較高,而電流要求卻越來越大,比如VCCINT最大能到幾十安。同時(shí)各種電壓值不同,有的可以合并,有的卻不能合并,同時(shí)還需要時(shí)序上的控制。
針對Zynq UltraScale+ MPSoC(ZU+ MPSoC)、Zynq UltraScale+ RFSoC(ZU+ RFSoC)、Zynq 7000(Z7)、UltraScale +(US+包括VU+和KU+)、UltraScale(US包括VU和KU)、7系列等,對每一類型電壓及要求電壓值、精度羅列如下表:
|
電壓類型 |
ZU+ MPSoC |
ZU+ RFSoC |
Z7 |
US+ |
US |
7 Series |
|
|
Logic |
VCCINT |
0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%) |
0.85(3%) 0.72(3%) |
1.0(3%) 0.95(3%) |
0.85(3%) 0.72(3%) 0.9(3%) |
0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%) |
1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(2%) AKV三個(gè)系列不同 |
|
VCCINT_IO |
0.85(3%) 0.9(3%) |
0.85(3%) |
× |
0.85(3%) 0.9(3%) |
0.95(3%) 0.9(2.2%)KU 1.0(3%) |
× |
|
|
VCCBRAM |
0.85(3%) 0.9(3%) |
0.85(3%) |
1.0(3%) 0.95(3%) |
0.85(3%) 0.9(3%) |
0.95(3%) 1.0(3%) |
1.0(3%) 0.9(3%) 0.95(3%) AKV三個(gè)系列不同 |
|
|
VCCAUX |
1.8(3%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) |
||
|
VCCO |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
|
|
VCCAUX_IO |
1.8(3%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) 2.0(3%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) 2.0(3%) A7沒有 |
||
|
VBATT |
√ |
√ |
√ |
√ |
|||
|
GTx |
VCCINT_GT |
× |
× |
× |
0.85(3%) 0.9(3%) 只有VU+才有 |
× |
× |
|
VMGTAVCC |
0.9(3%) |
0.9(3%) |
1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08) |
0.9(3%) |
1.0(3%) 1.03(3%)VU |
1.0(0.97~1.08) 1.05(1.02~1.08) |
|
|
VMGTAVTT |
1.2(3%) |
1.2(3%) |
1.2(2.5%) |
1.2(3%) |
1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU |
1.2(2.5%) |
|
|
VMGTVCCAUX |
1.8(3%) |
1.8(3%) |
1.8(2.7%) |
1.8(3%) |
1.8(2.7%) |
1.8(2.7%) |
|
|
VMGTAVTTRCAL |
1.2(3%) |
1.2(3%) |
1.2(2.5%) |
1.2(3%) |
1.2(2.5%) 1.23(2.4%)VU |
1.2(2.5%) |
|
|
System Monitor |
VCCADC |
1.8(3%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) |
1.8(3%) |
1.8(5%) |
|
|
VREFP |
1.25(4%) |
1.25(4%) |
1.25(4%) |
1.25(4%) |
1.25(4%) |
||
|
Processor System |
VCC_PSINTFP |
0.85(5%) 0.9(3%) |
0.85(5%) |
VCC_PSINT(1.0(5%)) |
|||
|
VCC_PSINTLP |
0.85(5%) 0.9(3%) |
0.85(5%) |
|||||
|
VCC_PSAUX |
1.8(5%) |
1.8(5%) |
1.8(5%) |
||||
|
VCC_PSINTFP_DDR |
0.85(5%) 0.9(3%) |
0.85(5%) |
× |
||||
|
VCC_PSADC |
1.8(5%) |
1.8(5%) |
× |
||||
|
VCC_PSPLL |
1.2(3%) |
1.2(3%) |
1.8(5%) |
||||
|
VPS_MGTRAVCC |
0.85(3%) |
0.85(3%) |
× |
||||
|
VPS_MGTRAVTT |
1.8(3%) |
1.8(3%) |
× |
||||
|
VCCO_PSDDR |
DDR I/O |
DDR I/O |
DDR I/O |
||||
|
VCC_PSDDR_PLL |
1.8(5%) |
1.8(5%) |
× |
||||
|
VCCO_PSIO |
MIO |
MIO |
MIO |
||||
|
VCC_PSBATT |
√ |
√ |
× |
||||
|
HBM |
VCC_HBM |
1.2(3%)VU+ |
|||||
|
VCC_IO_HBM |
1.2(3%)VU+ |
||||||
|
VCCAUX_HBM |
2.5(3%)VU+ |
||||||
|
VCU |
VCCINT_VCU |
0.9(3%) |
|||||
|
RF |
VADC_AVCC |
0.925(3%) |
|||||
|
VADC_AVCCAUX |
1.8(3%) |
||||||
|
VDAC_AVCC |
0.925(3%) |
||||||
|
VDAC_AVCCAUX |
1.8(3%) |
||||||
|
VDAC_AVTT |
2.5(3%) 3.0(3%) |
||||||
|
VCCINT_AMS |
0.85(3%) |
||||||
|
VCCSDFEC |
0.85(3%) |
||||||
2、功耗
FPGA的功耗包括所用邏輯單元數(shù)/BRAM數(shù)等內(nèi)部資源、工作時(shí)鐘頻率、切換速率、布線和I/O功耗等。對于I/O功耗,影響因素包括輸出類型、工作時(shí)鐘頻率、以及輸出的信號(hào)翻轉(zhuǎn)數(shù)量以及輸出負(fù)載等。實(shí)際功耗取決于特定的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。本部分內(nèi)容主要針對FPGA logic部分的功耗,而對于Zynq系列,由于其操作系統(tǒng)不同、應(yīng)用不同,無法進(jìn)行詳細(xì)計(jì)算,但可以通過軟件進(jìn)行粗略評估。
整個(gè)FPGA設(shè)計(jì)的總功耗由三部分功耗組成:芯片靜態(tài)功耗、設(shè)計(jì)靜態(tài)功耗、設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗。
芯片靜態(tài)功耗:FPGA在上電完成后還未配置時(shí)的功耗,主要是晶體管的泄露電流所消耗的功耗。
設(shè)計(jì)靜態(tài)功耗:當(dāng)FPGA配置完成后,當(dāng)設(shè)計(jì)還未啟動(dòng)時(shí),需要維持I/O的靜態(tài)電流,時(shí)鐘管理和其它部分電路的靜態(tài)功耗。
設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗:FPGA內(nèi)設(shè)計(jì)正常啟動(dòng)后,設(shè)計(jì)的功耗;這部分功耗的多少主要取決于芯片所用電平,以及FPGA內(nèi)部邏輯和布線資源的占用情況等。
2.1、待機(jī)功耗(芯片靜態(tài)功耗)
由于漏電流的存在,器件在待機(jī)時(shí)也會(huì)消耗能量。待機(jī)功耗隨芯片DIE的大小、溫度以及工藝的變化而變化??梢岳闷骷卣鲄?shù)來模擬待機(jī)功耗,并定義為兩類:典型功耗和最大功耗。
2.2、IO功耗(設(shè)計(jì)靜態(tài)功耗)
I/O功耗是VCCO功耗,主要來自器件輸出引腳連接的外部負(fù)載電容、阻抗模式輸出驅(qū)動(dòng)電路以及外部匹配網(wǎng)絡(luò)(如果有)的充放電電流。
如前所述,F(xiàn)PGA內(nèi)部要實(shí)際消耗一部分VCCO功耗,外部匹配電阻網(wǎng)絡(luò)以及輸出電容負(fù)載消耗了另一部分能量。設(shè)計(jì)人員在規(guī)劃散熱方案時(shí),應(yīng)考慮VCCO的內(nèi)部功耗。作為VCCO電源輸出功率的一部分,設(shè)計(jì)人員也應(yīng)考慮外部功耗的組成。
2.3、動(dòng)態(tài)功耗(設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗)
內(nèi)部節(jié)點(diǎn)改變邏輯狀態(tài)時(shí)(例如,從邏輯0變到邏輯1)會(huì)形成器件內(nèi)部動(dòng)態(tài)功耗,因?yàn)樗枰芰繉壿嬯嚵泻突ヂ?lián)網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)部電容進(jìn)行充放電。內(nèi)核動(dòng)態(tài)功耗包括邏輯單元功耗和導(dǎo)線功耗。LE功耗來自內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電容充放電以及內(nèi)部電阻單元的電流損耗。導(dǎo)線功耗來自每個(gè)LE驅(qū)動(dòng)外部導(dǎo)線電容時(shí)的充放電電流。內(nèi)核動(dòng)態(tài)功耗主要來自以下結(jié)構(gòu)單元:
LUT
RAM模塊
DSP Slice
鎖相環(huán)(PLL)
時(shí)鐘樹網(wǎng)絡(luò)
GTx收發(fā)器
IP使用情況
IO使用情況
2.4、功耗設(shè)計(jì)
前兩部分的功耗取決于FPGA芯片及硬件設(shè)計(jì)本身,很難有較大的改善??梢詢?yōu)化的是第3部分功耗:設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗,這部分功耗占總功耗的90%以上,因此降低設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗是降低整個(gè)系統(tǒng)功耗的關(guān)鍵因素。
Tjmax》θJA*PD+TA
其中Tjmax表示FPGA芯片的最高結(jié)溫(maximum junction temperature);θJA表示FPGA與周圍大氣環(huán)境的結(jié)區(qū)熱阻抗(Junction to ambient thermalresistance),單位是℃/W;PD表示FPGA總功耗(power dissipation),單位是W;TA表示周圍環(huán)境溫度。
以XC7K325T-2FFG900I系列芯片為例,θJA=9.7℃/W,在TA=55℃的環(huán)境中,想要結(jié)溫Tjmax不超過100°C的情況下,可以推算FPGA的總功耗為:
PD《(Tjmax-TA)/θJA=(100-55)/9.7=4.639W
因此實(shí)際功耗只要超過此值就需要進(jìn)行優(yōu)化處理,優(yōu)化處理的方法主要有兩種:一是降低θJA:熱阻抗取決于芯片與環(huán)境的熱傳導(dǎo)效率,可通過加散熱片或者風(fēng)扇減小熱阻抗;二是減小PD:通過優(yōu)化FPGA設(shè)計(jì),降低總功耗。下面就針對這兩部分進(jìn)行介紹。
2.4.1、降低θJA
此部分詳見之前的文章《可靠性設(shè)計(jì)之熱設(shè)計(jì)》。
2.4.1、減小PD
2.4.1.1、功耗估計(jì)
Xilinx FPGA的功耗評估常見的有幾種方案:Xilinx自己的XPE(可以在xilinx官網(wǎng)上下載到:http://www.xilinx.com/power,它是一個(gè)基于excel的工具)、TI的WEBENCH(貌似只有FPGA部分,沒有ARM部分)、Vivado軟件、開發(fā)板實(shí)測評估等,這幾種方案都可以根據(jù)自己的外設(shè)進(jìn)行定制,方便靈活。
在低功耗設(shè)計(jì)之前,需要先進(jìn)行功耗評估。XPE主要是在項(xiàng)目初期,處于系統(tǒng)設(shè)計(jì),RTL代碼并未完善階段功耗估計(jì)時(shí)使用。在設(shè)計(jì)完成綜合實(shí)現(xiàn)后,則可以使用vivado自帶的功耗分析工具進(jìn)行精確計(jì)算功耗。打開綜合實(shí)現(xiàn)后的設(shè)計(jì),點(diǎn)擊report power即可得到功耗分析的結(jié)果。
此部分可以參見之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“電源”》。
2.4.1.2、功耗優(yōu)化
關(guān)于FPGA低功耗設(shè)計(jì),可從兩方面著手:一是算法優(yōu)化;二是FPGA資源使用效率優(yōu)化。
算法優(yōu)化
算法優(yōu)化可分為兩個(gè)層次說明:實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)和實(shí)現(xiàn)方法。首先肯定需要設(shè)計(jì)一種最優(yōu)化的算法實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)一種最優(yōu)化的結(jié)構(gòu),使資源占用達(dá)到最少,當(dāng)然功耗也能降到最低,但是還需要保證性能,使FPGA設(shè)計(jì)在面積和速度上都能兼顧。比如在選擇采用流水線結(jié)構(gòu)還是狀態(tài)機(jī)結(jié)構(gòu)時(shí),流水線結(jié)構(gòu)同一時(shí)間所有的狀態(tài)都在持續(xù)工作,而狀態(tài)機(jī)結(jié)構(gòu)只有一個(gè)狀態(tài)是使能的,顯而易見流水線結(jié)構(gòu)的功耗更多,但其數(shù)據(jù)吞吐率和系統(tǒng)性能更優(yōu),因此需要合理選其一,使系統(tǒng)能在面積和速度之間得到平衡。
另一個(gè)層面是具體的實(shí)現(xiàn)方法,設(shè)計(jì)中所有吸收功耗的信號(hào)當(dāng)中,時(shí)鐘是罪魁禍?zhǔn)?。雖然時(shí)鐘可能運(yùn)行在100MHz,但從該時(shí)鐘派生出的信號(hào)卻通常運(yùn)行在主時(shí)鐘頻率的較小分量(比如12%~15%)。此外,時(shí)鐘的扇出一般也比較高。這兩個(gè)因素顯示,為了降低功耗,應(yīng)當(dāng)認(rèn)真研究時(shí)鐘。首先,如果設(shè)計(jì)的某個(gè)部分可以處于非活動(dòng)狀態(tài),則可以考慮禁止時(shí)鐘樹翻轉(zhuǎn),而不是使用時(shí)鐘使能。時(shí)鐘使能將阻止寄存器不必要的翻轉(zhuǎn),但時(shí)鐘樹仍然會(huì)翻轉(zhuǎn),消耗功率。其次,隔離時(shí)鐘以使用最少數(shù)量的信號(hào)區(qū)。不使用的時(shí)鐘樹信號(hào)區(qū)不會(huì)翻轉(zhuǎn),從而減輕該時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的負(fù)載。
資源使用效率優(yōu)化
資源使用效率優(yōu)化是使用FPGA內(nèi)部的一些資源(如BRAM,DSP slice)時(shí),可以優(yōu)化功耗的方法。FPGA動(dòng)態(tài)功耗主要體現(xiàn)為存儲(chǔ)器、內(nèi)部邏輯、時(shí)鐘、I/O等的功耗。
其中存儲(chǔ)器是功耗大戶,如xilinx FPGA中的存儲(chǔ)器單元Block RAM,因此主要介紹對BRAM的一些功耗優(yōu)化方法。
下圖中雖然BRAM只使用了7%,但是其功耗0.614W占了總設(shè)計(jì)的42%,因此優(yōu)化BRAM的功耗能有效地減小FPGA的動(dòng)態(tài)功耗。


下面介紹一下優(yōu)化BRAM功耗的方法:
使用“NO CHANGE”模式:在BRAM配置成True Dual Port時(shí),需要選擇端口的操作模式:“Write First”,“Read First” or “NO CHANGE”,避免讀操作和寫操作產(chǎn)生沖突,如圖6所示;其中“NO CHANGE”表示BRAM不添加額外的邏輯防止讀寫沖突,因此能減少功耗,但是設(shè)計(jì)者需要保證程序運(yùn)行時(shí)不會(huì)發(fā)生讀寫沖突。


設(shè)置成“NO CHANGE”后BRAM的功耗從0.614W降到了0.599W,因?yàn)橹皇褂昧?%的BRAM,如果設(shè)計(jì)中使用了大量的BRAM,效果能更加明顯。
控制“EN”信號(hào):BRAM的端口中有clock enable信號(hào),在端口設(shè)置中可以將其使能,模塊例化時(shí)將其與讀/寫信號(hào)連接在一起,如此優(yōu)化可以使BRAM在沒有讀/寫操作時(shí)停止工作,節(jié)省不必要的功耗。


控制“EN”信號(hào)優(yōu)化后BRAM功耗降到了0.589W。
拼深度:當(dāng)設(shè)計(jì)中使用了大量的存儲(chǔ)器時(shí),需要多塊BRAM拼接而成,如需要深度32K,寬度32-bit,32K*32Bit的存儲(chǔ)量,但是單塊BRAM如何配置是個(gè)問題。7 series FPGA中是36Kb 的BRAM,其中一般使用32Kb容量,因此可以配置成32K*1-bit或者1K*32-bit,多塊BRAM拼接時(shí),下圖中前者是“拼寬度”,后者是“拼深度”。兩種結(jié)構(gòu)在工作時(shí),“拼寬度”結(jié)構(gòu)所有的BRAM需要同時(shí)進(jìn)行讀寫操作;而“拼深度”結(jié)構(gòu)只需要其中一塊BRAM進(jìn)行讀寫,因此在需要低功耗的情況下采用“拼深度”結(jié)構(gòu)。但需要特別注意的是:“拼深度”結(jié)構(gòu)需要額外的數(shù)據(jù)選擇邏輯,增加了邏輯層數(shù),為了降低功耗即犧牲了面積又犧牲了性能。


3、上下電時(shí)序
3.1、上電時(shí)序
FPGA通常需要多路供電電壓,并且要求一定的上電/斷電順序。順序上電有助于限制上電期間的浪涌電流。如果忽視器件的供電順序要求,可能導(dǎo)致器件損壞或閂鎖,造成FPGA器件故障。有三種類型的上電時(shí)序:同步跟蹤、順序跟蹤和比率跟蹤。

針對各個(gè)系列的FPGA芯片,其內(nèi)部各功能模塊的上電時(shí)序一般是相互獨(dú)立的,各個(gè)功能模塊內(nèi)部是有先后順序的要求。詳細(xì)可參看各個(gè)器件的data sheet,其中會(huì)有詳細(xì)的先后順序約束。
3.2、上升單調(diào)性
啟動(dòng)過程中,電源電壓保持單調(diào)爬升非常重要,只有這樣才能確保器件成功開啟。一般的FPGA給出了嚴(yán)格的電壓單調(diào)上升要求,即電源電壓應(yīng)該連續(xù)上升至所設(shè)置的穩(wěn)壓值,中間不應(yīng)發(fā)生跌落。如果電源不能提供足夠的輸出功率,則會(huì)造成跌落。

3.3、上電時(shí)間
大多數(shù)FPGA規(guī)定了啟動(dòng)電壓上升速率的最小值和最大值,電源通過在啟動(dòng)過程中逐漸增大限流值實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。軟啟動(dòng)減緩了電源電壓的上升速率,也降低了注入FPGA的峰值浪涌電流。一般的電源可利用連接在引腳的軟啟動(dòng)電容設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間。
3.4、掉電時(shí)序
斷電時(shí)序也是需要控制的,標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)序是把上電時(shí)序倒過來。
3.5、特殊情況的時(shí)序控制
經(jīng)常會(huì)有FPGA和ARM等其他CPU互連的情況,為了不損壞器件,此時(shí)FPGA和ARM的上電時(shí)序既要滿足自身的上電時(shí)序要求,也要滿足對方的上電時(shí)序要求,這種情況可以進(jìn)行如下處理:
當(dāng)FPGA和ARM各自使用自己的配置文件時(shí):由于ARM處于復(fù)位狀態(tài)時(shí)IO為輸入狀態(tài),而FPGA需要完成配置后才能確定其IO的狀態(tài),因此ARM和FPGA可以各自進(jìn)行各自的上電時(shí)序,當(dāng)ARM的上電時(shí)序完成后處于復(fù)位狀態(tài),這樣IO為輸入狀態(tài),當(dāng)FPGA上電完成后進(jìn)行配置,配置完成后給ARM一個(gè)配置完成信號(hào),此信號(hào)去釋放ARM的復(fù)位,設(shè)置對應(yīng)的IO狀態(tài),就不會(huì)出現(xiàn)IO沖突了,也不會(huì)影響FPGA啟動(dòng)時(shí)序,也不會(huì)導(dǎo)致FPGA接口出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。
當(dāng)FPGA是使用ARM給配置文件時(shí),不會(huì)出現(xiàn)IO沖突的情況,因?yàn)镕PGA釋放復(fù)位,進(jìn)行配置之前,IO是高阻態(tài),F(xiàn)PGA沒有配置文件,不會(huì)去設(shè)置IO狀態(tài)。
4、電源方案
目前針對FPGA的常用電源解決方法包括使用單路LDO、單路DC/DC、單顆Power Module、PMIC等。
4.1、LDO
如果電路板空間有保證,低輸出噪聲很重要,或者系統(tǒng)要求對輸入和瞬態(tài)現(xiàn)象快速響應(yīng),就應(yīng)該采用LDO。LDO提供了中低輸出電流。輸入電容通常會(huì)切斷輸入至LDO的阻抗和噪聲。LDO還要求在輸出端有一個(gè)電容器,以處理系統(tǒng)瞬態(tài)響應(yīng)并提供穩(wěn)定性。
4.2、SMPS
當(dāng)設(shè)計(jì)效率非常關(guān)鍵且系統(tǒng)要求大輸出電流時(shí),開關(guān)電源具有優(yōu)勢。開關(guān)電源提供比LDO更高的效率,但其開關(guān)特性使其對噪聲更敏感。與LDO不同,開關(guān)電源需要使用電感器,而且可能需要變壓器進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換,對PCB空間需求較大。
4.3、Power Module
Power Module可以省去自己搭建外圍電路,且廠家設(shè)計(jì)的模塊一般比自己設(shè)計(jì)的性能會(huì)更好(效率更高、紋波更?。?,但電源模塊一般是在電流需求比較大的情況下會(huì)選擇。
4.4、PMIC
由于FPGA的廣泛應(yīng)用,目前針對FPGA的專用PMIC越來越多,從輸出電壓、通道數(shù)、輸出電流等方面都能很好的滿足特定FPGA芯片的需求,同時(shí)PCB占用面積、設(shè)計(jì)便捷性、價(jià)格等方面都比較有優(yōu)勢。ZU+ MPSoC系列可參見之前的文章《Zynq UltraScale+系列之“電源”》,其他系列類似,詳細(xì)可以參見TI、Infineon、ADI(含凌特)等廠家官網(wǎng),有相關(guān)FPGA系列芯片對應(yīng)的解決方案。
以上就是針對Xilinx FPGA的電源介紹,主要包括了電源的種類、電壓要求、功耗分析、上下電時(shí)序、電源實(shí)現(xiàn)方式等。
審核編輯:郭婷
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18960瀏覽量
264372 -
FPGA
+關(guān)注
關(guān)注
1663文章
22491瀏覽量
638809 -
Xilinx
+關(guān)注
關(guān)注
73文章
2205瀏覽量
131798
原文標(biāo)題:Xilinx FPGA的電源設(shè)計(jì)
文章出處:【微信號(hào):zhuyandz,微信公眾號(hào):FPGA之家】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
Xilinx FPGA中的混合模式時(shí)鐘管理器MMCME2_ADV詳解
賽靈思FPGA電源解決方案全解析
基于FPGA的磁場定向控制實(shí)現(xiàn)方案
深入剖析TPS650864:Xilinx MPSoCs和FPGA的理想電源管理方案
FPGA焊點(diǎn)高度測量方案
Xilinx FPGA中IDELAYCTRL參考時(shí)鐘控制模塊的使用
使用Xilinx 7系列FPGA的四位乘法器設(shè)計(jì)
Xilinx FPGA串行通信協(xié)議介紹
請問如何將蜂鳥E203移植到Xilinx NEXYS A7 FPGA 開發(fā)板上?
一文詳解xilinx 7系列FPGA配置技巧
電源控制器MCU硬件在環(huán)(HIL)測試方案
FPGA利用DMA IP核實(shí)現(xiàn)ADC數(shù)據(jù)采集
XILINX XCZU67DR FPGA完整原理圖
Xilinx Shift RAM IP概述和主要功能
詳解Xilinx的10G PCS PMA IP
Xilinx FPGA的電源設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案
評論