GDT陶瓷氣體放電管與MOV壓敏電阻串聯(lián)使用時，大家可能只注意到它們在共模雷擊時起到抑制雷擊浪涌電壓的一個作用，但關(guān)于它們之間的導(dǎo)通順序可能都不會去觀察，優(yōu)恩小編認(rèn)為，器件的導(dǎo)通順序也是我們需要去了解的一部分。

但要想知道GDT陶瓷氣體放電管與壓敏電阻哪個先導(dǎo)通，我們首先得了解它們的特性，且看下文：

陶瓷氣體放電管——

1.介紹

GDT放電管是采用陶瓷作為密封原料，且電容量極小的一種對稱開關(guān)型器件。一般在不受外界干擾情況下是處于關(guān)閉狀態(tài)，同時，其電阻值在MΩ級以上。其作用是限制浪涌電壓，保護電路免受過壓的損害。

2.參數(shù)

1)反應(yīng)時間是指從外加電壓超過擊穿電壓到出現(xiàn)擊穿的時間。GDT放電管的反應(yīng)時間一般以微秒為單位。

2)允許功率負(fù)荷是指陶瓷氣體放電管能夠承受和耗散的較大能量，一般是8/20μs電流波形下能夠承受及耗散的電流。

3)電容值是說在特定波形下(一般在1MHz頻率)測得的GDT放電管兩個電極之間的電容。GDT電管的電容很小，一般是≤1pF。

4)直流擊穿電壓是在陶瓷氣體放電管上施加100V/s的直流電壓時的擊穿電壓值。放電管產(chǎn)生火花時的電壓即為擊穿電壓。 氣體放電管有多種不同規(guī)格的直流擊穿電壓，我們有70V-5500V的。其誤差范圍：一般為±20%，也有的為±15%。其值取決于氣體種類和電極間距等因素。

MOV壓敏電阻——

通過對比分析可知，壓敏電阻的電容在1kHz時為210pF，而GDT放電管在1MHz頻率時的電容為1-2pF。

如果我們在兩端加上雷擊浪涌電壓，放電管和壓敏電阻之間的電壓就會除以寄生電容。GDT放電管與壓敏電阻兩個器件串聯(lián)時，通常小容量的分壓較高，大容量的分壓較小，MOV壓敏電阻的寄生電容是陶瓷氣體放電管的百倍，因此絕大部分的電壓會給到放電管，放電管導(dǎo)通之后，再施加到壓敏電阻上，此時壓敏電阻就會導(dǎo)通。在這種壓敏電阻和GDT放電管串聯(lián)使用的電路應(yīng)用中，響應(yīng)時間是放電管和壓敏電阻響應(yīng)的總和。

關(guān)于這兩種器件導(dǎo)通順序的分析就到這里結(jié)束了，大家了解了嗎?

審核編輯：湯梓紅