鐵電存儲器憑借諸多特性，正在成為存儲器未來發(fā)展方向之一。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體利用FeRAM（富士通半導體的鐵電隨機存取存儲器產(chǎn)品）的高速寫入、高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）等特點，為客戶提供了一系列嵌入式LSI產(chǎn)品，包括RFID LSI、身份驗證LSI以及定制LSI。

FeRAM嵌入式RFID LSI

富士通半導體開發(fā)和生產(chǎn)兩個 RFID LSI 系列。一個系列是在HF（高頻：13.56MHz）下工作的產(chǎn)品，另一個是UHF（超高頻：860至960MHz）下運行的產(chǎn)品。 特征

高速寫入性能：嵌入式FeRAM的高速性能增強了寫入操作的吞吐量。

通信距離穩(wěn)定：低功耗寫入，在寫入和讀取操作時可實現(xiàn)相同的通信距離。相比之下，帶有EEPROM的標簽在寫入操作時消耗大量功率，使通信距離變短。

高密度存儲器：高速寫入功能可在標簽上實現(xiàn)大尺寸存儲器。但是標簽嵌入式EEPROM的速度還不夠快，無法采用大尺寸存儲器。

高耐久性：保證最大1萬億次讀/寫操作。該功能使標簽的長期使用或重復使用成為可能。

適用的國際標準：富士通RFID LSI產(chǎn)品系列基于ISO15693，ISO18000-3,6。

FeRAM嵌入式射頻標簽的高速性能

記錄標簽本身的歷史記錄和質量檢查信息

在不打開包的情況下更改標簽中的參數(shù)

通過提高吞吐量降低運行成本

高速交付圖像 產(chǎn)品展示

FeRAM嵌入式身份驗證LSI

富士通半導體存儲器解決方案提供FeRAM嵌入式認證IC。FeRAM嵌入式IC在IC卡等安全應用中是經(jīng)過驗證的實用工具。

MB94R330是FeRAM認證IC，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術，用于形成非ー易失性存儲單元。

MB94R330采用基于兩線串行接口（I2C BUS）、硬件加密宏和專有控制內核的獨創(chuàng)通信協(xié)議。

MB94R330適用于檢測克隆的外圍設備和附件，用于打印機，多功能打印機等電氣設備。主機系統(tǒng)和外圍設備之間的質詢和響應身份驗證能夠識別授權和未經(jīng)授權的部件。

除上述產(chǎn)品外，富士通半導體還有足夠的靈活性來定制適合客戶的應用要求。

FeRAM嵌入式定制LSI

FeRAM適用于具有邏輯或模擬電路的單芯片解決方案，并且不會降低CMOS規(guī)格。富士通半導體存儲器解決方案利用這一優(yōu)勢，生產(chǎn)FeRAM嵌入式產(chǎn)品，如用于RFID和IC卡的LSI。富士通半導體可以根據(jù)您的要求定制這些產(chǎn)品，也可以提供帶有FeRAM的定制LSI。由于FeRAM同時具有RAM和ROM的優(yōu)勢，因此使用FeRAM可以減少您的開發(fā)挫折，并增加您的便利性。

帶FeRAM的定制IC

使用 FeRAM 宏的應用程序

帶有FeRAM的定制LSI可用于各種應用，并為家用電器、辦公機器和移動終端提供安全功能、認知信息和環(huán)境變量存儲等額外功能。

審核編輯：郭婷