ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮其性能的控制元器件的開發(fā)。

最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能，需要優(yōu)化柵極驅(qū)動器

最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能，需要優(yōu)化SiC-MOSFET的驅(qū)動、即柵極驅(qū)動器。ROHM為了實現(xiàn)誰都可以輕松設(shè)計使用SiC-MOSFET的電源，不僅發(fā)力SiC-MOSFET的開發(fā)，還推進(jìn)控制元器件的開發(fā)。“BD7682FJ-LB”是以將SiC-MOSFET用于功率開關(guān)為前提開發(fā)的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC。

準(zhǔn)諧振控制軟開關(guān)的低EMI工作，突發(fā)模式下的輕負(fù)載時低消耗電流工作，具備各種保護功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外，是工業(yè)設(shè)備用的產(chǎn)品，因此支持長期供應(yīng)保證（-LB）。

＜BD7682FJ-LB＞

準(zhǔn)諧振方式（低EMI）

SiC-MOSFET驅(qū)動?xùn)艠O箝位電路

工作電源電壓范圍(VCC)：15.0V～27.5V

輕負(fù)載時突發(fā)脈沖工作、降頻功能

工作電流：0.80mA(typ.)、
突發(fā)時 0.50mA(typ.)

待機時低消耗電流：19μA

最大振蕩頻率：120kHz(typ.)

工作溫度范圍：-40℃～105℃

SOP-J8 封裝
(6.0×4.9mm，1.27mm 間距)

保護VCC UVLO，VCC OVP，
各周期的過電流保護，
ZT觸發(fā)器屏蔽功能，ZT OVP，欠壓保護

面向工業(yè)設(shè)備長期供應(yīng)保證

BD7682FJ-LB框圖及應(yīng)用電路例
（點擊放大）

與Si-MOSFET解決方案相比，效率改善6%

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB組成的AC/DC轉(zhuǎn)換器與采用Si-MOSFET的電路比較中，確認(rèn)效率改善達(dá)6%（在ROHM制造的參考板上的比較）。同時還可減少發(fā)熱，因此電路也可小型化。下面是評估板與效率比較數(shù)據(jù)。

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB的評估板已作為“BD7682FJ-LB-EVK-402”在網(wǎng)上銷售，因此可立即進(jìn)行使用優(yōu)化SiC-MOSFET的反激式轉(zhuǎn)換器的評估。ROHM除該反激式轉(zhuǎn)換器評估板之外，還備有全SiC模塊的柵極驅(qū)動器評估板等。與以往的Si元器件相比具有優(yōu)異特性的SiC-MOSFET，工作電路也需要優(yōu)化，全部從沒有參考的狀態(tài)進(jìn)行評估是非常艱苦而細(xì)致的工作?？傊?，希建議望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁面”。

SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

重點必看

審核編輯黃宇