可提高電源效率的同步整流ic U7718

同步整流可提高效率，同時也能夠極大地幫助瞬態(tài)負載調(diào)節(jié)。它為電源預(yù)加載提供了一種高效的方法。另外，相比擺動電感，它還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。同步整流ic U7718是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。有興趣的小伙伴可以多了解下！

同步整流ic U7718支持High Side和Low Side配置，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞阻供電，簡化了外圍電路，降低系統(tǒng)成本。U7718內(nèi)部集成智能開通檢測功能,可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。

在原邊MOSFET導通期間，同步整流ic U7718內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解偶和供電考濾,推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于同步整流ic U7718內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值, 故經(jīng)過開通延遲（典型值200nS）后內(nèi)部MOSFET開通。

在同步整流MOSFET導通期間，U7718采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當Vds電壓高于MOSFET 關(guān)斷閾值(典型值-6mV)，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約60ns）后被關(guān)斷。

同步整流ic U7718 管腳功能描述：

1、2、3 GND P IC 參考地，同時也是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極

4 VDD P IC 供電腳，

5、6、7、8 Drain I 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source)之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤動作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。

同步整流ic U7718方案能滿足客戶高效適配器、反激變換器、充電器的應(yīng)用，使得電源設(shè)計盡可能達到最優(yōu)化。方案簡單有效，成本經(jīng)濟可控，更多實惠請致電400-778-5088！

審核編輯：劉清