Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016
Netsol在STT-MRAM領(lǐng)域，處于領(lǐng)先地位。基于在內(nèi)存相關(guān)領(lǐng)域的豐富開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及低成本、超小型和低功耗內(nèi)存解決方案設(shè)計(jì)的專業(yè)知識(shí)、為工業(yè)自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等廣泛領(lǐng)域的各種應(yīng)用程序，提供最優(yōu)化的定制內(nèi)存解決方案。
我司英尚微官方代理供應(yīng)商提供的Netsol型號(hào)S3R8016并口STT-MRAM是一個(gè)容量8Mbit，具有并行異步接口的完全隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
審核編輯黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7753瀏覽量
172144 -
非易失存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
5609 -
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
253瀏覽量
32978
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索MAXIM DS1804非易失性微調(diào)電位器：特性、操作與應(yīng)用
的熱門選擇。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款電位器。 文件下載： DS1804.pdf 一、產(chǎn)品特性 1. 非易失性與電位控制 DS1804具有100個(gè)位置的單錐形電位器，并且支持按需存儲(chǔ)
AD5233：四通道非易失性數(shù)字電位器的特性與應(yīng)用
Devices公司的AD5233四通道非易失性數(shù)字電位器。 文件下載： AD5233.pdf 一、AD5233的特性 1. 非易
DS1804非易失性微調(diào)電位器：特性、操作與應(yīng)用解析
之間共有99個(gè)電阻段，為精確的調(diào)節(jié)提供了可能。 非易失性（NV）按需雨刮器存儲(chǔ) ：可以將雨刮器位置存儲(chǔ)在EEPROM
探索DS1321：靈活的非易失性控制器與鋰電池監(jiān)測(cè)器
出色的方案。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款功能強(qiáng)大的芯片。 文件下載： DS1321S+T&R.pdf 一、DS1321的核心特性 1. 非易失性內(nèi)存轉(zhuǎn)換 DS1321能夠?qū)MOS
探索MAXIM DS1314：3V非易失性控制器的技術(shù)奧秘
探索MAXIM DS1314：3V非易失性控制器的技術(shù)奧秘 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，非易失性存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用是一個(gè)重要的課題。今天，我們
串行mram磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理與存儲(chǔ)機(jī)制
在存儲(chǔ)器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天，MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的非易失性、高速讀寫與高耐久性，正成
PG-1000脈沖發(fā)生器在非易失性存儲(chǔ)器（NVM）及MOSFET測(cè)試的應(yīng)用
）主流NVM類型
類型結(jié)構(gòu)與原理
STT-MRAM核心為磁隧道結(jié)（MTJ），含兩層鐵磁體與中間絕緣體。電流流經(jīng)參考層形成極化電流，通過(guò)自旋轉(zhuǎn)移矩改變自由層磁矩方向，以不同導(dǎo)電性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
PCM以硫系
發(fā)表于 03-09 14:40
串行NETSOL自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器STT-MRAM
S3A3204R0M是自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPI(串行外設(shè)接口)是帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)
MAXIM DS1314：3V 非易失性控制器與鋰電池監(jiān)測(cè)方案
MAXIM DS1314：3V 非易失性控制器與鋰電池監(jiān)測(cè)方案 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，如何確保數(shù)據(jù)在電源故障時(shí)不丟失，以及有效監(jiān)測(cè)電池狀態(tài)，是工程師們常常面臨的關(guān)鍵問(wèn)題。MAXIM 的
NETSOL代理Parallel STT-MRAM系列存儲(chǔ)芯片
在追求高效能與高可靠性的工業(yè)存儲(chǔ)解決方案中，MRAM存儲(chǔ)芯片以其獨(dú)特的非易失性與近乎無(wú)限的耐用性
Everspin的MRAM芯片存儲(chǔ)技術(shù)工作原理
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與
stt-marm存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)原理
在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失
串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM
MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢(shì)介紹
在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能
Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片有哪些型號(hào)
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易
評(píng)論