晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。

圖源：華秋商城雙極結(jié)型晶體管 (BJT)雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT，從結(jié)構(gòu)上看，就像兩個背靠背連接的 pn 結(jié)二極管。BJT由三個端子組成，即發(fā)射極（Emitter,E）、基極（Base,B）和集電極（Collector,C）。雙極結(jié)型晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)，雙極結(jié)型晶體管分為 NPN 和 PNP 晶體管。在 NPN 晶體管中，薄薄的一層 p 型半導(dǎo)體夾在兩個 n 型半導(dǎo)體之間，而在 PNP 晶體管中，薄薄的一層 n 型半導(dǎo)體夾在兩個 p 型半導(dǎo)體之間。PNP 和 NPN的電荷載流子不同，NPN以空穴為主要載流子，而PNP以電子為主要載流子。但兩者的工作原理實際上是相同的，唯一的區(qū)別在于偏置，以及每種類型的電源極性。BJT符號BJT是一個電流控制裝置，集電極或發(fā)射極輸出是基極電流的函數(shù)。比如，通過調(diào)基極和發(fā)射極之間電壓，可以控制集電極的電流，如下圖所示。BJT工作電壓的變化會影響基極的電流，而該電流又會影響晶體管的輸出電流。由此可見，在BJT里，是輸入電流控制著輸出電流。許多人更喜歡 BJT 用于低電流應(yīng)用，例如用于開關(guān)，因為它們更便宜。BJT被廣泛用作放大器、開關(guān)或振蕩器等應(yīng)用。雙極結(jié)型晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET ）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，俗稱MOSFET，是一種主要由硅半導(dǎo)體材料制成的場效應(yīng)晶體管，是最常用的晶體管類型。MOSFET具有三個端子：源極、柵極和漏極。它的頂部有金屬端子，端子下方有氧化硅層，而半導(dǎo)體材料形成底層——由此形成金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。MOSFET結(jié)構(gòu)
與 BJT 不同，MOSFET不存在基極電流。MOSFET是一種電壓控制器件，氧化物絕緣柵電極上的電壓可以生成用于在其他觸點“源極和漏極”之間傳導(dǎo)的通道，進而控制漏極電流。即MOSFET柵極上的電壓會產(chǎn)生一個電場，允許電流在源極和漏極之間流動，但該電流可能被柵極上的電壓夾斷或打開。根據(jù)工作原理，MOSFET分為增強型MOSFET和耗盡型MOSFET。增強型 MOSFET 在正常情況下保持關(guān)閉狀態(tài)，需要柵極電壓才能將其打開，而耗盡型 MOSFET 在正常情況下保持打開狀態(tài)，需要柵極電壓才能將其關(guān)閉。MOSFET分類
MOSFET 的優(yōu)點在于它們可以更有效地處理功率，功耗更低。如今，MOSFET 是數(shù)字和模擬電路中最常用的晶體管，取代了當(dāng)時非常流行的 BJT。最后，簡單總結(jié)下兩者的重要區(qū)別：

● BJT 是雙極器件，而 MOSFET 是單極器件。

● BJT 有發(fā)射極、集電極和基極，而 MOSFET 有柵極、源極和漏極。

● BJT 是電流控制器件，由基極電流控制；而 MOSFET 是電壓控制器件，由柵極電壓控制。

● BJT 的開關(guān)速度限制高于 MOSFET。

● BJT 適合小電流應(yīng)用，而 MOSFET 適合大功率功能。

● 在數(shù)字和模擬電路中，目前認(rèn)為 MOSFET 比 BJT 更常用。

● BJT和MOSFET都有廣泛的應(yīng)用。在選擇合適的器件時，需要考慮開關(guān)速度、控制方法、功耗、負(fù)載類型、效率和成本等幾個因素。

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