-解決了 GaN器件的柵極耐壓?jiǎn)栴},為基站、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供了低功耗、小尺寸的電源～

世界著名半導(dǎo)體制造商 ROHM (總部設(shè)在日本京都市)針對(duì)各種不同的電源線路,以工業(yè)設(shè)備和通信設(shè)備為主導(dǎo),開發(fā)了針對(duì)150 V耐壓 GaN HEMT*1 (以下簡(jiǎn)稱" GaN器件")的高達(dá)8 V柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術(shù)。

近幾年來,隨著 IoT設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng),功率轉(zhuǎn)換效率的提高和設(shè)備小型化已成為社會(huì)關(guān)注的重要問題之一,而這對(duì)功率器件的發(fā)展提出了更高的要求。

ROHM一直在大力推動(dòng)行業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 SiC元件及各種硅元件的發(fā)展及量產(chǎn),并在中壓范圍內(nèi)開發(fā)具有卓越高頻工作能力的硅基元件。本次, ROHM針對(duì)已有的 GaN器件進(jìn)行了長(zhǎng)期研究,開發(fā)了能夠提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù),可為多種應(yīng)用提供更廣泛的電源方案。

由于 GaN器件具有比硅器件更低的導(dǎo)通電阻值和更高的高速開關(guān)性能,因此作為有助于降低各種開關(guān)電源功耗、實(shí)現(xiàn)小型化的器件,在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有著較高的應(yīng)用前景。但是由于 GaN器件的柵源極間額定電壓較低,在開關(guān)工作過程中可能出現(xiàn)超過額定電壓的過沖現(xiàn)象,因此產(chǎn)品的可靠性一直是個(gè)難題。

基于此, ROHM利用自身的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間額定電壓由常規(guī)的6 V提高到8 V,這將有助于提高電源電路的設(shè)計(jì)余量和可靠性,而采用高效的柵極器件有利于提高電路的可靠性。另外,配合本技術(shù),研制出了一種專用封裝,利用該封裝,不但能降低寄生電感,更好地發(fā)揮器件的性能,而且能使產(chǎn)品更容易安裝在電路板上,具有更好的散熱性能,從而可使現(xiàn)有硅器件的更換和安裝工序更加簡(jiǎn)便。

今后, ROHM將加快 GaN器件的發(fā)展,使用該技術(shù)的 GaN器件有望在2021年9月開始提供產(chǎn)品樣品。

<開發(fā)中的GaN器件的特點(diǎn)>

ROHM即將推出的目前正在開發(fā)中的GaN器件具有以下特點(diǎn):

1. 采用ROHM自有結(jié)構(gòu),將柵極-源極間額定電壓提高至8V

普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為5V,而其柵極-源極間額定電壓為6V,其電壓裕度非常小,只有1V。一旦超過器件的額定電壓,就可能會(huì)發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問題,這就需要對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。

針對(duì)這種課題,ROHM通過采用自有的結(jié)構(gòu),成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。這使器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍,在開關(guān)工作過程中即使產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓,器件也不會(huì)劣化,從而有助于提高電源電路的可靠性。

2. 采用在電路板上易于安裝且具有出色散熱性的封裝

該GaN器件所采用的封裝形式,具有出色的散熱性能且通用性非常好,在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄,因此,將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。此外,通過采用銅片鍵合封裝技術(shù),使寄生電感值相比以往封裝降低了55%,從而在設(shè)計(jì)可能會(huì)高頻工作的電路時(shí),可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

3. 與硅器件相比,開關(guān)損耗降低了65%

該GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝,還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能,與硅器件相比,開關(guān)損耗可降低約65%。

<應(yīng)用示例>

?數(shù)據(jù)中心和基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路

?基站功率放大器單元的升壓轉(zhuǎn)換器電路

?D類音頻放大器

?LiDAR驅(qū)動(dòng)電路、便攜式設(shè)備的無線充電電路

<術(shù)語解說>

*1) GaN HEMT

GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料硅相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前利用其高頻特性的應(yīng)用已經(jīng)開始增加。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

*2) 柵極-源極間額定電壓(柵極耐壓)

可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。

工作所需的電壓稱為“驅(qū)動(dòng)電壓”,當(dāng)施加了高于特定閾值的電壓時(shí),GaN HEMT將處于被動(dòng)工作狀態(tài)。