6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象
6.3.4 電學(xué)表征技術(shù)及其局限性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
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