功率半導(dǎo)體器件是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向，這些趨勢也對自動化測試設(shè)備提出了更高的要求。SPEA長期深耕半導(dǎo)體測試行業(yè)，持續(xù)探索并突破核心檢測技術(shù)，公司出品的DOT800T功率半導(dǎo)體測試儀在檢測速度、精度、動態(tài)雜散電感等關(guān)鍵性能指標(biāo)處于全球領(lǐng)先地位。

DOT800T將一整套的功率測試解決方案整合到了單臺設(shè)備之中，提供了在全范圍功率應(yīng)用中進行 ISO、AC、DC 測試所需的所有資源，從晶圓級到最終產(chǎn)品，均可輕松完成。

DOT800T 不但解決了傳統(tǒng)硅電子器件的測試要求，也解決了氮化鎵和氮化硅等新技術(shù)帶來的測試要求，覆蓋了這些產(chǎn)品的性能范圍，包括最高電壓和電流源，高頻低電流測量等需求。

我們已經(jīng)利用完整且精確的動態(tài)測試和靜態(tài)測試以及隔離測試序列驗證了該型產(chǎn)品在實際工作條件下的測試能力，能夠充分檢測確保各種器件的質(zhì)量和可靠性。

所有這些，都集成在了一套高處理量、模塊化且可配置的測試儀之中，這款測試儀專門針對批量生產(chǎn)環(huán)境中的測試需求而設(shè)計。

DOT800T

單套測試平臺即可覆蓋全范圍功率應(yīng)用

晶圓

能夠?qū)A級的功率器件進行完整測試，改善良品率，降低成本，為下一步的制造工序做好準備

KGD

能夠?qū)δz片框架中的單個芯片進行完整測試，驗證已知合格芯片的性能

分立器件

能夠?qū)?Si / SiC / GaN 技術(shù)生產(chǎn)的各種分立器件進行完整測試

IPM

能夠?qū)χ悄芄β誓K的 IGBT 和驅(qū)動器組件進行完整測試

DBC

能夠在模塊裝配之前對直接粘合的銅質(zhì)基板進行完整的測試

IGBT

能夠?qū)σ逊庋b的 IGBT 模塊進行實際工作條件下的完整測試

DOT800T

一套測試儀最多可匹配6個測試站

DOT800T 基于多核心架構(gòu)：測試儀可配備一個到六個獨立且可配置的測試核心，來在不同的專門測試站上執(zhí)行 ISO 測試、AC 測試和 DC 測試，每一個測試站都配備有專用獨立控制器。有了這一套系統(tǒng)，您獲得的將是六臺強大測試儀的測試能力和出色性能?？筛鶕?jù)具體的要求和操作流程，將測試儀不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 測試站?？稍诂F(xiàn)場對測試儀的配置進行擴展和升級，滿足不同器件測試對測試儀的要求。不同的測試程序可在真正的并行異步模式下進行，每個測試核心的控制器都能夠管理相應(yīng)的測試資源、儀器連接和測試程序執(zhí)行。

DOT800T

功率測試的最佳資源

DOT800T 配備了一整套最先進的專用儀器來執(zhí)行各種功率半導(dǎo)體測試，設(shè)計同于檢測確保新一代寬帶隙技術(shù)的性能和可靠性，支持高電壓、高電流、高功率和高切換頻率等各種嚴苛測試條件。該測試儀能夠同時在測試中供應(yīng)高電壓和高電流，同時仍可保證極為出色的電流靈敏度，其內(nèi)置的數(shù)字化儀可確保在漏電和擊穿測量中實現(xiàn)最佳的分辨率和精度。可利用本地設(shè)置存儲來實現(xiàn)模塊設(shè)置的更改，也可利用內(nèi)嵌宏來生成各種斜坡和觸發(fā)，這帶來了測試時間短的優(yōu)點。可在模塊之間實現(xiàn)整系統(tǒng)內(nèi)的硬件同步，可在高電壓和高電流模塊上實現(xiàn)嵌入警報（例如過溫、過流、波動、開式溫度等），這些都是實現(xiàn)測深儀在混合模式下的可靠和安全運行的基礎(chǔ)。

DOT800T

測試資源

ISO測試資源

• 高達 12kV/10mA DC
• 高達 10kV/20mA AC
• 高電壓安全開關(guān)（帶輸出矩陣）用于限制放電電流，確保測試儀在任何情況下都保證安全

AC測試資源

高達6kV，高達3kA

電流短路測試，高達10kA

最多 8 個可獨立編程的門驅(qū)動

2 – 8 個多脈沖

數(shù)字化儀的取樣率可達10GS/s 取樣率

DC測試資源

中等功率V/I 資源（±100V、±2A，最高可達16A），配備 8 臺驅(qū)動和 8 個數(shù)字化儀，各自完全浮動和互相獨立

高電壓發(fā)生器發(fā)生能力高達20kV

高電流發(fā)生器可發(fā)生高達4kA 脈沖電流，配有自動斜坡發(fā)生器，可縮短測試時間

DOT800T

低雜散電感設(shè)計

對高功率、高頻率期間的動態(tài)測試不僅要求測試儀器的良好性能，還要求測試儀的連接布局、插口和接觸器等的設(shè)計必須謹慎且優(yōu)秀，才能確保在整個信號路徑中充分降低雜散電感, 從而最大程度上減小整流期間的電壓超調(diào)問題。SPEA 能夠提供完整的測試解決方案，一步式資源即可覆蓋您測試功率器件的所有需求。
各接觸單元均由 SPEA 研發(fā)制造，充分保證了易用性、高性能和低雜散電感等優(yōu)點，適用于對行業(yè)標(biāo)準和自動封裝的各種器件進行環(huán)境溫度下，以及雙溫度或三溫度條件下的測試。針對晶圓 KGD 和 IGBT 模塊，SPEA 也提供有完整的測試設(shè)備，整合了機器人自動搬運處理，適用于直接集成到您的生產(chǎn)線之中。

DOT800T

便捷的操作系統(tǒng)

ATOS C2操作軟件可提供編程、調(diào)試和測試執(zhí)行所需的所有資源，并具有可用于生產(chǎn)模式的一整套工具，為用戶帶來了最佳可用性。

測試程序生成和調(diào)試僅需不到 1 天

• 無代碼開發(fā)，利用軟件自帶庫即可完成編程開發(fā)
• 提供繪圖功能，用于視覺對比所測器件不同部分的波形結(jié)果（例如單相、3 相、多級 MOSFET 和 IGBT 等）
• 自帶數(shù)據(jù)獲取記憶內(nèi)存，用于對所有模塊進行 V/I 監(jiān)控
• 可編輯測試模型中的每一項參數(shù)
• 測試流程可‘隨時按需’更改，無需重新編輯測試程序
• 使用方便，控制簡單

DOT800T

執(zhí)行測試類型