在諸多工業(yè)、汽車等對產(chǎn)品可靠性有高要求的應(yīng)用場景中,如BMS,會使用存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息,這得益于存儲器本身的特性,數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高。FRAM在眾多存儲產(chǎn)品中脫穎而出,越是對使用有限制、有要求的場景,就越會使用FRAM來存儲系統(tǒng)中的重要信息,在一汽車尾門控制器中,就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C,本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用。
PB85RS128C是一種標(biāo)準(zhǔn)的FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器),使用SPI接口進(jìn)行通訊,工作電壓寬為2.7-3.6V,提供低功耗和低待機(jī)電流,待機(jī)電流最大值為10μA,提供8引腳SOP封裝,工作頻率為25MHz,工作電流最大5mA,內(nèi)存為128Kb,最高100萬次擦寫循環(huán)次數(shù),數(shù)據(jù)保存周期高達(dá)20年,可替換賽普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B。
在尾門控制器的應(yīng)用中,PB85RS128C的應(yīng)用示意和總線配置圖如下:
PB85RS128C的應(yīng)用示意圖
在應(yīng)用優(yōu)勢上,PB85RS128C有如下幾點(diǎn):
第一,認(rèn)證齊全,且提供無鉛、RoHS、無鹵或者綠色封裝;
第二,可靠性高,PB85RS128C通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,和SRAM不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù);PB85RS128C的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM,且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間,而且它不需要等待時間。
注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。
-
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7753瀏覽量
172159
發(fā)布評論請先 登錄
SDRAM工業(yè)動態(tài)隨機(jī)存儲器在可編程邏輯控制器(PLC)的應(yīng)用
深入解析Atmel ATtiny25/45/85汽車級8位AVR微控制器
Atmel ATtiny25/45/85汽車級8位微控制器的深度剖析
探索FM25V10 1-Mbit Serial (SPI) F-RAM:高性能非易失性存儲器解決方案
Infineon CY15X108QN:低功耗鐵電隨機(jī)存儲器的卓越之選
探索FM25V01A:高性能128 - Kbit串行F - RAM的卓越特性與應(yīng)用
CW32L083能替代STM32F103的MCU嘛?
探索FM24V01A 128-Kbit F-RAM:高性能非易失性存儲新選擇
探索FM25V02A 256-Kbit F-RAM:高性能非易失性存儲解決方案
探索FM25CL64B 64 - Kbit F - RAM:高性能存儲新選擇
FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析
探索FM24V05:高性能I2C F - RAM的卓越之選
雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器存儲原理
國芯思辰|同步采樣24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器軟硬件替換ADS1174應(yīng)用于關(guān)口表
國芯思辰|拍字節(jié)鐵電隨機(jī)存儲器PB85RS128C替代FM25V01-G用于汽車尾門控制器
評論