傳三星4nm良率水平追平臺(tái)積電，3nm提至60%以上
11日，據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子將4納米node級(jí)半導(dǎo)體組的收益率提升到了競(jìng)爭(zhēng)公司臺(tái)積電 （TSMC）的水平。
據(jù)悉，HI Investment & Securities投資證券半導(dǎo)體分析師Park Sang-wook發(fā)表研究報(bào)告稱(chēng)，三星電子的4納米和3納米工程節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)量分別提高到75%和60%以上。
據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，直到今年年初，業(yè)界還預(yù)測(cè)三星的4納米技術(shù)收益率為50%左右。4納米和3納米等尖端工程的收率超過(guò)60%，意味著使用這些工程的芯片收率處于穩(wěn)定水平。
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