哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-07-31 16:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

5750388a-2f80-11ee-bbcf-dac502259ad0.jpg

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。

產(chǎn)品型號(hào):

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低熱阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM版本

產(chǎn)品特點(diǎn)

1200V CoolSiC MOSFET

Easy1B封裝

Best-in-class 12毫米高度模塊封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區(qū)寬

柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大

PressFIT引腳

兩個(gè)阻值型號(hào)都有帶有熱界面材料版本

應(yīng)用價(jià)值

擴(kuò)展了柵源電壓最大值:+23V和-10V

在過(guò)載條件下,Tvjop最高可達(dá)175°C

最佳的性價(jià)比,可降低系統(tǒng)成本

可工作在高開(kāi)關(guān)頻率,并改善對(duì)冷卻要求

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

引入新的M1H增強(qiáng)型1代芯片系列模塊,Best-in-class 1200V Easy1B模塊

采用英飛凌WBG材料,達(dá)到功率和效率的新水平

緊跟市場(chǎng)的新趨勢(shì),支持多種目標(biāo)應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

不間斷電源(UPS)

電動(dòng)汽車充電

光伏系統(tǒng)的解決方案

儲(chǔ)能系統(tǒng)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10808

    瀏覽量

    234958
  • 高速開(kāi)關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    27

    瀏覽量

    9347
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET:國(guó)產(chǎn)替代的價(jià)格革命

    一、什么是 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET? 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET 是一種耐壓 1200 伏、典型導(dǎo)通電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-25 10:16 ?243次閱讀

    新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? G2 1200V MOSFET 產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET,采用頂部散熱Q-DPAK封裝,提供4mΩ和5mΩ兩種導(dǎo)通電阻規(guī)格,廣泛適用于的工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 17:09 ?1206次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? G2 <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品 | Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC? 750V MOSFET評(píng)估板

    新品Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC750VMOSFET評(píng)估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1評(píng)估板旨在評(píng)估采用Q-DPAK封裝的CoolSiC750VMOSFET的
    的頭像 發(fā)表于 01-29 17:07 ?1388次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | Q-DPAK封裝的碳化硅<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 750<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>評(píng)估板

    新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

    新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過(guò)AQG324認(rèn)證,采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料,集成NTC
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:05 ?1452次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> M1H <b class='flag-5'>EasyDUAL</b>? <b class='flag-5'>1200V</b>

    1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):深入解析與使用指南

    1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):深入解析與使用指南 在電力電子領(lǐng)域,準(zhǔn)確評(píng)估MOSFET、IGBT及其驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)特性至關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 12-21 10:50 ?872次閱讀

    1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

    (Infineon)的1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái),它在開(kāi)關(guān)損耗提取等方面有著出色的表現(xiàn),對(duì)于功率電子領(lǐng)域的研發(fā)工作有著重要的意義。 文件下載: Infineon
    的頭像 發(fā)表于 12-21 10:45 ?735次閱讀

    英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)

    11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:32 ?1069次閱讀
    英飛凌EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b>模塊榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)

    新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

    新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引腳IMZA封裝,確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
    的頭像 發(fā)表于 09-08 17:06 ?1471次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b>分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管封裝)專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于電動(dòng)汽車充電、
    的頭像 發(fā)表于 08-11 17:04 ?1451次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b> Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?1137次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基模塊

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?1631次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b>模塊

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管,專為各種工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?1315次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā),包括工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?1588次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產(chǎn)品

    聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1450次閱讀

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOP
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?1769次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>EasyDUAL</b>? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極IGBT模塊
    岐山县| 革吉县| 通榆县| 宿迁市| 绍兴市| 怀柔区| 景洪市| 西和县| 惠州市| 合肥市| 寿阳县| 林芝县| 玉山县| 大城县| 扎囊县| 兖州市| 新巴尔虎右旗| 芦山县| 罗田县| 大同市| 陇南市| 民县| 新绛县| 象州县| 怀安县| 新邵县| 西城区| 永修县| 边坝县| 凌海市| 南雄市| 军事| 蒙城县| 乃东县| 阿尔山市| 德钦县| 手游| 新昌县| 五华县| 丁青县| 塔城市|