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一種接近像素級(jí)讀出的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)陣列

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2023-08-10 09:26 ? 次閱讀
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據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,近期,南京大學(xué)張蠟寶教授課題組研制出一種接近像素級(jí)讀出的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)陣列,相關(guān)內(nèi)容以“Approaching pixel-level readout of SNSPD array by inductor-shaping pulse”為題,發(fā)表于《應(yīng)用物理快報(bào)》(Applied Physics Letters)??蒲腥藛T采用片上集成的電感實(shí)現(xiàn)了不同SNSPD像元單光子響應(yīng)脈沖波形的整形,在幾乎不犧牲靈敏度和信噪比的同時(shí),獲得了空間位置的信息,實(shí)現(xiàn)了近像素級(jí)并行讀出功能。

SPAD陣列可采用成熟的CMOS技術(shù)研發(fā)與之配套的讀出集成電路(ROIC),以實(shí)現(xiàn)SPAD像元雪崩信號(hào)的提取和處理。然而,SNSPD特定的超低溫工作環(huán)境使得常規(guī)的ROIC不再適用,因此迫切需要研發(fā)適用于SNSPD陣列的并行讀出技術(shù)。此前文獻(xiàn)報(bào)道的SNSPD陣列主要有兩類(lèi):一類(lèi)是,通過(guò)多通道技術(shù)實(shí)現(xiàn)多像元并行讀出。SNSPD讀出采用同軸電纜將超導(dǎo)器件與室溫讀出電路互聯(lián),通過(guò)室溫下的電路加載偏置電流和讀出快速響應(yīng)的脈沖信號(hào)。隨著陣列數(shù)量的增加,連接室溫和超低溫的同軸線數(shù)量也隨之增加,導(dǎo)致制冷機(jī)熱負(fù)載、體積和成本大幅度增加。該方案可以獲得跟單元器件接近的性能,但擴(kuò)展性差,像元數(shù)量有限。另外一類(lèi)是,通過(guò)信息復(fù)用實(shí)現(xiàn)空間位置分辨。陣列SNSPD讀出借助信息復(fù)用來(lái)減小讀出通道數(shù)和熱負(fù)載。但常規(guī)的時(shí)間或者幅值復(fù)用方案很難分辨多個(gè)像元同時(shí)響應(yīng)的情況,且通常會(huì)丟失部分信息,甚至有可能犧牲靈敏度和信噪比等性能指標(biāo)。

如果能夠?qū)崿F(xiàn)像素級(jí)并行讀出,單光子探測(cè)器陣列就可以保留每個(gè)像元響應(yīng)信號(hào)的完整信息。目前,實(shí)現(xiàn)像素級(jí)讀出的主要途徑是在片上集成超導(dǎo)讀出電路,實(shí)現(xiàn)逐像元的放大、編碼與讀出。但是,目前超低溫讀出電路還不成熟,并且受到制備工藝限制,不易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列讀出。因此,盡管已有一些SNSPD陣列結(jié)果報(bào)道,但其像元數(shù)量、量子效率、探測(cè)速度等性能很難兼顧,距離實(shí)際應(yīng)用仍有較大差距。

針對(duì)陣列SNSPD難題,南京大學(xué)張蠟寶教授課題組通過(guò)片上集成電感,對(duì)各像元的光子響應(yīng)脈沖進(jìn)行整形,實(shí)現(xiàn)各像元信號(hào)的原位編碼,通過(guò)單通道電路即可讀出多個(gè)像元信號(hào)。如圖1(a)所示,所有像元串行連接并通過(guò)單根同軸線進(jìn)行偏置和讀出,每個(gè)像元包括串聯(lián)的納米線,電感線以及并聯(lián)的電阻。通過(guò)修改電感線的長(zhǎng)度可以改變各像元整體的動(dòng)態(tài)電感。各像元電感線長(zhǎng)度的比例設(shè)置服從等差分布,脈沖的恢復(fù)時(shí)間與電感線的長(zhǎng)度成正比,如圖1(b)。這里,設(shè)定閾值對(duì)脈沖寬度進(jìn)行檢測(cè)即可分辨出響應(yīng)的像元位置如圖1(d)。

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圖1 脈沖整形SNSPD陣列的示意圖與單像元響應(yīng)信號(hào)

除了單個(gè)像元響應(yīng)信號(hào)的讀出,該方案還適用于多個(gè)像元同時(shí)響應(yīng)的情況,如圖2??蒲腥藛T展示了兩個(gè)像元、三個(gè)像元以及四個(gè)像元同時(shí)響應(yīng)時(shí)的脈沖形狀以及脈沖寬度分布直方圖。串聯(lián)電感的引入除了可以改變脈沖寬度,還會(huì)影響各個(gè)像元的交流阻抗,導(dǎo)致不同像元響應(yīng)脈沖的幅值不同,脈沖幅值和寬度的改變會(huì)導(dǎo)致脈沖面積的差異,對(duì)脈沖波形進(jìn)行積分獲取脈沖面積的同時(shí)可以抵消一部分高斯噪聲的干擾。因此可以將所有像元的開(kāi)/關(guān)狀態(tài)編碼為單個(gè)輸出脈沖的寬度、幅值和面積,僅需單個(gè)通道即可實(shí)現(xiàn)各像元的并行高效讀出。

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圖2 多像元同時(shí)響應(yīng)的脈沖信號(hào)及脈寬分布直方圖

該方案還進(jìn)一步應(yīng)用到16像素SNSPD陣列(圖3),并驗(yàn)證了大光敏面積、高填充因子、飽和量子效率、低暗計(jì)數(shù)率等優(yōu)點(diǎn)。這在常規(guī)的多路復(fù)用陣列SNSPD中是很難同時(shí)達(dá)到的。得益于該方案提供了更多自由度,例如脈沖幅度、脈沖寬度和脈沖面積等,且基本保持原有的高信噪比特征,因此可以有效地提高各像元的可分辨性。該方案具有簡(jiǎn)單的單通道讀出要求和優(yōu)異的單光子探測(cè)性能,結(jié)合其它多通道技術(shù)和復(fù)用技術(shù)等,有可能實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模的高性能SNSPD陣列。

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圖3 16像素脈沖整形SNSPD陣列的響應(yīng)信號(hào)及3個(gè)像元分辨參量的散點(diǎn)圖:脈沖幅度、脈沖寬度和脈沖面積。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:接近像素級(jí)并行讀出的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器陣列

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