近期，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產業(yè)鏈產品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數(shù)后，表示已經確認采購意向。

湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地。湖南三安半導體是三安光電在SiC領域布局的重點項目。

從產能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗證，并實現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應已基本鎖定。此外，三安已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進。

值得注意的是，湖南三安與理想合資成立的規(guī)劃年產240萬只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導體，已完成動力設備安裝、調試，待產線通線后進入試生產。

今年6月，三安光電宣布與意法半導體在重慶成立合資公司，雙方將攜手新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。據悉，該工廠全部建設總額預計約達32億美元，計劃于2025年第四季度開始生產，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術生產碳化硅器件，湖南三安持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%。

加速8英寸布局

化合物半導體市場對國內主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進度進行了統(tǒng)計，除了三安光電之外，目前國內在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機構還有爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等。其中爍科晶體、天科合達以及晶盛機電相對來說進度比較快。

襯底之外，外延企業(yè)也在加速建設8英寸產能，東莞天域計劃購置94.7 畝地用于建設SiC外延材料研發(fā)及產業(yè)化，用于SiC外延關鍵技術的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產線的建設。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC產業(yè)園的三期項目也極有可能是定位8英寸SiC外延，這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。

總體而言，隨著三安光電8英寸襯底的發(fā)布，SiC市場會越來越熱鬧，競爭也會越來越激烈，從長期來看，這有助于產業(yè)整體的發(fā)展，至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出，這個只能騎驢看唱本。

編輯：黃飛