如何測試MOSFET（找出壞的MOSFET）

介紹：

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。

MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。

以下是如何判斷 MOSFET 是否有缺陷的指南。這些是可用于檢查 MOSFET 是否有缺陷的最常用技術。

方法#1：

A

1.首先打開數字萬用表并選擇“連續(xù)性”模式，測試電路的完整性。

2.將測試引線連接至 MOSFET 端子。將測試引線保持在 (A) 連接處連接幾秒鐘。

3.如果萬用表蜂鳴器亮起，則MOSFET 處于不良（損壞）狀態(tài)。

B

1.將測試線連接至 MOSFET 端子。將測試引線保持在 (B) 連接狀態(tài)幾秒鐘。

2.如果萬用表蜂鳴器熄滅，則MOSFET 狀況良好。

方法#2：

N 型 MOSFET：

1.連接(C)完成后，按下開關(LED ON Switch)——如果LED亮起，則IGBT是好的。否則，LED 不亮，IGBT 壞。

2.當您按下開關（LED OFF 開關）時 - 如果 LED 熄滅，則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。

P 型 MOSFET：

1.連接(E)完成后，按下開關(LED ON Switch) - 如果LED熄滅，則IGBT良好。否則，LED 亮，IGBT 壞。

2.當您按下開關（LED 關閉開關）時 - 如果 LED 亮起，則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。