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之前《一文搞懂住宅和商業(yè)電池儲能系統(tǒng)架構實現(xiàn)》的文章中，提及了像碳化硅這樣的寬禁帶半導體元件的大規(guī)模生產(chǎn)可以將儲能系統(tǒng)效率和熱性能提升到一個新的水平。具體而言，碳化硅在帶隙能量、擊穿場強、熱導率等幾個參數(shù)方面具有優(yōu)越的特性。這些特性允許 SiC 系統(tǒng)以更高的頻率運行而不會損失輸出功率，從而可以減小電感器的尺寸。它還可以優(yōu)化散熱系統(tǒng)，用自然散熱代替強制風冷系統(tǒng)。在某些情況下，可以移除散熱片以節(jié)省資金和減輕重量。

為了平衡成本和性能，強烈建議更換二極管(用 SiC SBD 代替硅SBD)。與硅 SBD 相比，SiC SBD 具有更低的trr和lrr，從而帶來更低的 Err 和更好的系統(tǒng)效率。

SiC MOSFET，EliteSiC，12 mohm，650 V，TO247-4

特性

RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS = 18V
RDS(on)典型值=15 mΩ @ VGS = 15 V
超低門電荷(QG(tot)= 283 nC)
高速開關，低電容(COSS = 430 pF)

應用

太陽能逆變器
不間斷電源
儲能

SiC MOSFET，EliteSiC，33 mohm，650 V，TOLL

特性

RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS= 18 V
RDS(on)典型值=15 mΩ @ VGS= 15 V
PCB占位面積比 D2PAK 小30%(9.9 mm x 11.68 mm)
體積比D2PAK 小60%(H = 2.3 mm)
超低封裝電感(2 nH)
開爾文源引腳降低60%導通損耗EON

全 SiC MOSFET 模塊，EliteSiC，雙通道升壓，Q0

特性

2 X 1200 V/40 mQ SiC MOSFET
2 X 1200 V/40 A SiC 二極管，2 X 1200 V/50 A旁路 SiC 二極管
低電感布局
內(nèi)置 NTC

應用

太陽能逆變器
不間斷電源

更換PIM，提升功率密度

為了最大限度地提高系統(tǒng)效率和功率密度，應考慮PIM功率集成模塊解決方案。SiC 模塊成本更高，但能帶來以下優(yōu)勢。

改進了由引腳和不良布局引起的寄生效應
提高生產(chǎn)效率，減少元件數(shù)量，易于安裝
提高芯片一致性以便電流共享
熱性能更好

熱性能比較：分立與模塊

2-Pack半橋全 SiC 功率集成模塊

特性

2 X 1200 V SiC MOSFET，RDS(ON)= 10 mΩ
低熱阻
內(nèi)部 NTC 熱敏電阻

優(yōu)勢

在更高的電壓下，RDS(ON) 得到改進
更高的效率或更高的功率密度
高可靠性熱界面的靈活解決方案

應用

三相太陽能逆變器
儲能系統(tǒng)

應用和拓撲結(jié)構

安森美 (onsemi) 在儲能系統(tǒng)和太陽能組串式逆變器方面擁有廣泛的產(chǎn)品組合。

柵極驅(qū)動器

為了快速安全地驅(qū)動 SiC MOSFET，需要可靠的 SiC MOSFET 驅(qū)動器。在選擇 SiC MOSFET 以提高 SiC MOSFET 電源實現(xiàn)方案的穩(wěn)健性時，需要注意以下 3 點：

大電流能力 - 在導通和關斷時輸送高峰值電流以使 CGS 和 CGD 電容快速充電和放電。
抗擾度強 - 在具有快速開關 SiC MOSFET 的系統(tǒng)中，SiC 柵極驅(qū)動器必須考慮與快速 dV/dt 和感應噪聲相關的抗擾度。特別是，允許的最大和最小電壓表示對正負浪涌事件的抗擾度。
匹配的傳播延遲 - 傳播延遲是從 50% 的輸入到 50% 的輸出的時間延遲，這在高頻應用中至關重要；延遲不匹配會導致開關損耗和發(fā)熱。

柵極驅(qū)動器，雙通道

特性

4.5 A 峰值源電流、9 A 峰值灌電流輸出能力
傳播延遲典型值為 36 ns，每通道最大延遲匹配為 8 n
共模瞬變抗擾度 CMTI> 200 V/ns
5 kVRMS 電氣隔離

應用

隔離轉(zhuǎn)換器
碳化硅驅(qū)動器

要在 ESS 中進行準確的電壓和電流測量，需要可靠且精密的運算放大器(OpAmp)或電流檢測放大器。安森美提供高精度、低功耗、電流監(jiān)測(集成電阻)放大器，具有不同的供電電流、增益帶寬積和封裝，以便電壓電流信號的反饋實現(xiàn)閉環(huán)控制。

電流檢測放大器，單/雙通道

特性

集成精密、比率匹配的電阻器，精度為 0.1%
寬共模輸入：-0.1至40 V
低失調(diào)電壓：+/-100 uV
低失調(diào)漂移：最大 +/-1 uV/C
低增益誤差：最大 +/-1%
低功耗：每個通道最大 300 uA

應用

高/低邊電流檢測

10BASE-T1S MACPHY 以太網(wǎng)控制器

特性

超過IEEE 802.3cg 中規(guī)定的抗噪水平，支持 8 個節(jié)點和最多 50 m 的范圍
每 25 m 區(qū)段啟用更多節(jié)點，從而降低布線、連接器和安裝成本
每端口使用一個 MACPHY，在單對線纜上連接多個器件
連接到?jīng)]有集成 MAC 的控制器、傳感器和其他器件
進一步提高純 PLCA 網(wǎng)絡的抗噪性
超過 IEEE 802.3cg 中規(guī)定的抗噪水平，支持 8 個節(jié)點和最多 50 m 的范圍

應用

工業(yè)自動化
傳感器和控制接口
安全防護和現(xiàn)場儀表

系統(tǒng)級仿真工具

安森美的Elite Power 在線仿真工具能夠在開發(fā)周期的早期進行系統(tǒng)級仿真，為復雜的電力電子應用提共有價值的參考信息。Elite Power 仿真工具能夠精確呈現(xiàn)所設計的電路在使用我們的 EliteSiC 產(chǎn)品系列時的工況，包括 Elite SiC 技術的制造邊界工況。

特性