凌銳半導體推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。

據(jù)透露，凌銳1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS已達量產(chǎn)階段，并在Q4實現(xiàn)客戶端批量交貨。并且，凌銳正積極布局研發(fā)下一代更高性能的產(chǎn)品。

具體來看，在開關(guān)損耗方面，凌銳產(chǎn)品的開關(guān)損耗大幅降低，功率模塊發(fā)熱量減少，降低了對功率模塊散熱器和整個變流器冷卻系統(tǒng)的要求，進而體積和重量減少。

同時，可以在更高頻率下切換，將降低電路中變壓器、電容、電抗器等無源元件的體積和重量，從而優(yōu)化整體的拓撲結(jié)構(gòu)和重量管理。

在柵氧質(zhì)量方面，凌銳產(chǎn)品有較大的柵氧工作電壓范圍，且有較小的VSD，體二極管續(xù)流時有顯著小的續(xù)流損耗，從而保護柵氧免遭應(yīng)力而導致的失效或退化。

此外，在各種應(yīng)用場景的特殊性和兼容性方面，凌銳對產(chǎn)品設(shè)計進行了多次迭代優(yōu)化，從而能夠同時兼容15V和18V柵極驅(qū)動電壓。

在15V 的驅(qū)動下，凌銳產(chǎn)品能夠與友商相互兼容；而在18V 的驅(qū)動下，客戶則能充分發(fā)揮凌銳產(chǎn)品的性能優(yōu)勢。

凌銳半導體專注于第三代半導體碳化硅（SiC）車規(guī)級芯片研發(fā)與銷售，公司總部位于上海，設(shè)有中國與歐洲兩個研發(fā)中心，核心團隊由來自于原英飛凌（Infineon）、科銳（CREE Wolfspeed）、 意法（ST）、安森美（Onsemi）核心功率器件團隊的海歸與外國專家組成，具備深厚的功率器件開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗。

今年9月消息，據(jù)乾融控股官微消息，乾融控股旗下乾融園豐基金已完成對凌銳半導體（上海）有限公司Pre-A輪融資的領(lǐng)投，繼續(xù)拓展延鏈第三代半導體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)生態(tài)投資布局。據(jù)悉，凌銳半導體自創(chuàng)立起，精準定位高端車規(guī)級MOSFET，對標國際一線大廠產(chǎn)品，并與產(chǎn)業(yè)鏈上下游建立了深度合作，目前有多款產(chǎn)品通過核心客戶測試驗證，并已獲得多家同行業(yè)上市公司的戰(zhàn)略入股。

根據(jù)2022年Yole的最新市場調(diào)研報告，碳化硅（SiC）芯片市場將由2021年的10億美元激增至2027年的60-70億美元，年復合增長率達34%以上。受益于電動汽車與新能源的長期需求，未來10-20年都是碳化硅的高景氣賽道。

目前碳化硅MOS市場幾乎完全被歐美巨頭占據(jù)。盡管國內(nèi)涌現(xiàn)了幾個碳化硅團隊，真正掌握核心技術(shù)的少，產(chǎn)品主要以SBD為主，能達到車規(guī)且大批量出貨的幾乎沒有。

審核編輯：劉清